[发明专利]一种大尺寸LGS晶体的生长方法无效
| 申请号： | 201110055719.1 | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102260914A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 柳祝平;黄小卫 | 申请（专利权）人： | 元亮科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大尺寸La3Ga5SiO14(LGS，Langasite)晶体的生长方法。包括以下步骤：(a)第一次加料：将1450℃烧结5h后的LGS料饼平整的放置于铱金坩埚中，进行原料填充；(b)第一次化料：原料填充至坩埚内后，将坩埚中原料加热至原料熔点以上的温度，使原料完全熔化；(c)第二次加料：为了达到坩埚的最大装料量，需进行第二次加料，加料量根据第一次化料时坩埚液位来确定第二次加料量；(d)第二次化料：料完全化完后将温度维持在熔点以上进行稳定化处理；(e)缩颈；(f)放肩；(g)等径生长；(h)收尾；(i)退火。采用本专利方法生长的晶体具以下特点：(l)晶体直径大于50mm；(2)晶体长度大于100mm；(3)完全透明；基本无开裂；(4)晶体在激光照射下内基本无闪点，便于加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 lgs 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
本发明LGS晶体的生长方法，包括以下步骤：(a)第一次加料：将LGS料饼平整的放置于铱金坩埚中，进行原料填充；(b)第一次化料：原料填充至坩埚内后，将坩埚中原料加热至原料熔点以上的温度，使原料完全熔化；(c)第二次加料：为了达到坩埚的最大装料量，需进行第二次加料，加料量根据第一次化料时坩埚液位来确定第二次加料量；(d)第二次化料：料完全化完后将温度维持在熔点以上进行稳定化处理；(e)缩颈；(f)放肩；(g)等径生长；(h)收尾；(i)退火。
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