[发明专利]一种大尺寸LGS晶体的生长方法

权利要求书

1.本发明LGS晶体的生长方法，包括以下步骤：(a)第一次加料：将LGS料饼平整的放置于铱金坩埚中，进行原料填充；(b)第一次化料：原料填充至坩埚内后，将坩埚中原料加热至原料熔点以上的温度，使原料完全熔化；(c)第二次加料：为了达到坩埚的最大装料量，需进行第二次加料，加料量根据第一次化料时坩埚液位来确定第二次加料量；(d)第二次化料：料完全化完后将温度维持在熔点以上进行稳定化处理；(e)缩颈；(f)放肩；(g)等径生长；(h)收尾；(i)退火。

2.根据权利要求1所述的LGS晶体的生长方法，其特征在于原料是经过4NLa₂O₃、5N Ga₂O₃和6N SiO₂粉末混合均匀并压制成直径为60mm、厚度为15mm的料饼。

3.根据权利要求2所述的LGS原料，其特征在于料饼需在1450℃高温下烧结5h。

4.根据权利要求1所述的LGS晶体的生长方法，其特征在于生长气氛是在4N的Ar和O₂的混合气氛。

5.根据权利要求4所述的混合气氛，其特征在于O₂占混合气氛的比例为1.5～4vol％。

6.根据权利要求1所述的LGS晶体的生长方法，其特征在于晶体生长前熔汤需进行高温稳定化处理0.5～3h，处理温度略高于熔点以上。

7.根据权利要求6所述的熔汤处理方法，其特征在于最佳处理时间为1～3h。

8.根据权利要求1所述的LGS晶体的生长方法，其特征在于晶体生长完成后需在生长炉内进行退火工序。

9.根据权利要求8所述的晶体退火工序，其特征在于退火时降温速率为10～20℃/h。