[发明专利]一种提高电子束曝光效率的方法有效
| 申请号： | 201010541030.5 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102466966A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 徐秋霞;许高博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种提高电子束曝光效率的方法：1)在需要光刻的片子上涂敷一层正性光刻胶，进行前烘；2)图形数据分割，对大尺寸图形部分进行光学曝光，进行后烘；3)正性光刻胶显形；4)等离子体氟化；5)烘烤加固；6)涂电子束负胶，进行前烘；7)对精细图形部分进行电子束曝光；8)后烘；9)电子束负胶显形，完成光刻图形制备。本发明的方法可以节省至少30％～60％的曝光时间，大大提高了曝光效率，大幅度降低了成本，而且完全与CMOS工艺兼容，不增加专门的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电子束 曝光 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高电子束曝光效率的方法，主要步骤如下：步骤1)在需要光刻的片子上涂敷一层正性光刻胶，进行前烘；步骤2)图形数据分割，对大尺寸图形部分进行光学曝光，进行后烘；步骤3)正性光刻胶显形；步骤4)等离子体氟化；步骤5)烘烤加固；步骤6)涂电子束负胶，进行前烘；步骤7)对精细图形部分进行电子束曝光；步骤8)后烘；步骤9)电子束负胶显形，完成光刻图形制备。
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