[发明专利]一种提高电子束曝光效率的方法有效
| 申请号： | 201010541030.5 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102466966A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 徐秋霞;许高博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电子束 曝光 效率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高电子束曝光效率的方法，主要步骤如下：
步骤1)在需要光刻的片子上涂敷一层正性光刻胶，进行前烘；
步骤2)图形数据分割，对大尺寸图形部分进行光学曝光，进行后烘；
步骤3)正性光刻胶显形；
步骤4)等离子体氟化；
步骤5)烘烤加固；
步骤6)涂电子束负胶，进行前烘；
步骤7)对精细图形部分进行电子束曝光；
步骤8)后烘；
步骤9)电子束负胶显形，完成光刻图形制备。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤1)中正性光刻胶膜厚为200～400nm，前烘热板温度90～95℃，时间60～90秒。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤2)中大尺寸图形光学曝光采用分步重复光刻机进行，后烘热板温度100～115℃，时间60～90秒。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤4)中的等离子氟化条件为：功率30～60W，压力300～550mTorr，反应气体为CF4，其流量100～300sccm，氟化时间20～60秒。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤5)中烘烤加固的温度130～160℃，时间40～60分。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤6)中电子束负胶膜厚为200～400nm，前烘热板温度100～115℃，时间1～3分钟。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤8)中后烘热板温度100～115℃，时间1～3分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010541030.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种受控熔断电流保险器
- 下一篇：提高低碳烯烃收率的方法
