[发明专利]高密度沟槽式功率半导体结构的制造方法无效
| 申请号： | 201010148408.5 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222617A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 许修文 | 申请（专利权）人： | 科轩微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 王月玲;武玉琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高密度沟槽式功率半导体结构的制造方法。首先，利用一氧化硅图案层来定义栅极沟槽；随后，在此氧化硅图案层的开口中形成一介电结构于栅极多晶硅结构的上方；接下来，以选择性蚀刻方式去除氧化硅图案层以裸露此介电结构；随后，形成一间隔层结构于介电结构的侧边，以定义出接触窗使源极掺杂区裸露于外。因而可以克服对准控制不易以及临界宽度的问题，达到提升元件密度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 沟槽 功率 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高密度沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：通过一图案层形成至少一栅极沟槽于一硅基材内；形成一栅极多晶硅结构于该栅极沟槽内；形成一蚀刻保护层于该图案层的一开口内，该蚀刻保护层至少覆盖该开口的侧壁；在该开口中形成一介电结构，该介电结构位于该栅极多晶硅结构的上方，并且，该介电结构的宽度小于该栅极沟槽的开口宽度；以选择性蚀刻方式去除该图案层，并保留该介电结构；以及于该介电结构的侧边形成一间隔层结构，以定义出至少一接触窗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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