[发明专利]具有钨间隔层的功率MOSFET器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有钨间隔层的功率MOSFET器件，包含：设在底部衬底上的外延层；在外延层上设置的体区域；形成于体区域和外延层中的沟槽内的沟槽栅极；形成在体区域的顶部部分，且围绕沟槽栅极的源极区域；形成在沟槽栅极和源极区域顶部表面上的介电层；在介电层中开设的接触孔；形成在介电层的顶部表面和接触孔的侧壁和底部表面上的阻挡层；设置在阻挡层之上，填充接触孔且延伸至介电层的顶部上方的钨间隔层；设置在钨间隔层上的铝金属层。由于在阻挡层上的钨间隔层被保留，当介电层上方使用铜线连接封装时，钨间隔层有足够的强度来抵御铜线打线的冲击力，以保护介电层，有效防止铝金属层的铝泄露所引发的铝穿刺现象，增加了产品的可靠性。

主权项

一种具有钨间隔层的功率MOSFET器件，其特征在于，包含：设置在底部衬底(1)上的外延层(2)；在所述外延层(2)上设置的体区域(3)；形成于体区域(3)和外延层(2)中的沟槽(4)内的沟槽栅极(41)；形成在体区域(3)的顶部部分，且围绕沟槽栅极(41)的源极区域(5)；形成在沟槽栅极(41)和源极区域(5)顶部表面上的介电层(6)；若干在介电层(6)中贯穿开设的接触孔(7)；形成在介电层(6)的顶部表面和所述接触孔(7)的侧壁和底部表面上的阻挡层(8)；设置在阻挡层(8)之上，填充所述接触孔(7)且延伸至所述介电层(6)的顶部上方的钨间隔层(9)；设置在所述钨间隔层(9)上的铝金属层(10)。