[发明专利]具有钨间隔层的功率MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有钨间隔层的功率MOSFET器件，其特征在于，包含：

设置在底部衬底(1)上的外延层(2)；

在所述外延层(2)上设置的体区域(3)；

形成于体区域(3)和外延层(2)中的沟槽(4)内的沟槽栅极(41)；

形成在体区域(3)的顶部部分，且围绕沟槽栅极(41)的源极区域(5)；

形成在沟槽栅极(41)和源极区域(5)顶部表面上的介电层(6)；

若干在介电层(6)中贯穿开设的接触孔(7)；

形成在介电层(6)的顶部表面和所述接触孔(7)的侧壁和底部表面上的阻挡层(8)；

设置在阻挡层(8)之上，填充所述接触孔(7)且延伸至所述介电层(6)的顶部上方的钨间隔层(9)；

设置在所述钨间隔层(9)上的铝金属层(10)。

2.如权利要求1所述的具有钨间隔层的功率MOSFET器件，其特征在于，

所述钨间隔层(9)延伸至所述介电层(6)的顶部上方的部分，在阻挡层(8)上覆盖的厚度是

3.如权利要求1所述的具有钨间隔层的功率MOSFET器件，其特征在于，所述介电层(6)包含依次淀积在体区域(3)、沟槽栅极(41)和源极区域(5)顶部表面上的低温氧化层(62)和硼磷硅玻璃层(61)。

4.如权利要求1所述的具有钨间隔层的功率MOSFET器件，其特征在于，所述阻挡层(8)是Ti/TiN阻挡层。

5.如权利要求1所述的具有钨间隔层的功率MOSFET器件，其特征在于，所述铝金属层(10)中包含铝铜合金或铝硅铜合金。

6.一种具有钨间隔层的功率MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

a.在底部衬底(1)上形成一外延层(2)；

b.在外延层上(2)形成一体区域(3)；

c.在体区域(3)和外延层(2)中形成沟槽栅极(41)；

d.在体区域(3)的顶部部分，且围绕沟槽栅极(41)形成源极区域(5)；

e.在沟槽栅极(41)以及体区域(3)上淀积形成介电层(6)；

f.在介电层(6)中通过刻蚀形成贯穿该介电层(6)的若干接触孔(7)，并在该介电层(6)顶部表面上及接触孔(7)的侧壁和底部表面上淀积生成阻挡层(8)；

g.在阻挡层(8)之上，填充接触孔(7)且延伸至介电层(6)的顶部上方淀积生成钨间隔层(9)；

h.在钨间隔层(9)上淀积生成铝金属层(10)；

i.刻蚀铝金属层(10)；

j.刻蚀钨间隔层(9)及阻挡层(8)形成源极接触铝金属层和栅极接触铝金属层。

7.如权利要求6所述具有钨间隔层的功率MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述步骤g中，淀积生成并延伸至所述介电层(6)顶部上方的所述钨间隔层(9)，在阻挡层(8)上淀积的厚度是

8.如权利要求6所述具有钨间隔层的功率MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述步骤i具体包含以下步骤：

i1.对铝金属层(10)干刻；

i2.对铝金属层(10)湿刻。

9.如权利要求6所述具有钨间隔层的功率MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤h和步骤i之间，还包含在铝金属层(10)上涂覆光刻胶(11)并对其进行光刻的步骤。

10.如权利要求9所述具有钨间隔层的功率MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤j之后，还包含去除涂覆在铝金属层(10)上的光刻胶(11)的步骤。

11.如权利要求8所述具有钨间隔层的功率MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤h和步骤i之间，还进一步包含以下步骤：

k1.在铝金属层(10)上淀积生成覆盖层(12)；

k2.涂覆光刻胶(11)并光刻所述覆盖层(12)；

k3.刻蚀所述覆盖层(12)。

12.如权利要求11所述具有钨间隔层的功率MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述步骤j之后，还包含去除覆盖层(12)的步骤。