[发明专利]一种用于功率器件击穿保护的栅漏箝位和静电放电保护电路

摘要

一种位于半导体衬底上的半导体功率器件，由多个晶体管单元组成，每个晶体管单元都有一个源极、一个栅极以及一个控制源极和栅极之间电流传输的漏极。这种半导体还包括一个栅漏箝位终端，串联在栅极和漏极之间，还包括多个背对背多晶硅二极管，串联在一个硅二极管上，在半导体衬底中，硅二极管含有平行掺杂纵栏，其中平行掺杂纵栏带有一个预设的缝隙。掺杂纵栏还包括一个U形弯管纵栏，将设置在U形弯管下方并包围U形弯管的深掺杂井，与平行掺杂纵栏末端连接在一起。

主权项

一种位于半导体衬底上的半导体功率器件，含有多个晶体管单元，每个晶体管单元都有一个围绕在本体区中的源极和一个漏极，以及一个控制源极和漏极之间传输电流的栅极，其特征在于，上述的半导体还包括：一个串联在所述的栅极和所述的漏极之间的栅漏嵌位终端，还包括串联在一个硅二极管上的多个背对背多晶硅二极管，在所述的半导体衬底中，硅二极管含有至少一个掺杂纵栏。