[发明专利]一种用于功率器件击穿保护的栅漏箝位和静电放电保护电路

权利要求书

1.一种位于半导体衬底上的半导体功率器件，含有多个晶体管单元，每个晶 体管单元都有一个围绕在本体区中的源极和一个漏极，以及一个控制源极 和漏极之间传输电流的栅极，其特征在于，上述的半导体功率器件还包括：

一个串联在所述的栅极和所述的漏极之间的栅漏箝位终端，包括串联 在一个硅二极管上的多个背对背多晶硅二极管，在所述的半导体衬底中， 硅二极管含有至少一个掺杂纵栏；

所述的栅漏箝位终端仅设置在支撑着所述的半导体功率器件的所述 半导体衬底一个边缘附近的一侧；

所述的掺杂纵栏包括平行掺杂纵栏，纵栏之间的缝隙是预设的。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的预设缝隙在2 至5微米之间。

3.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的平行掺杂纵栏 的末端还包括一个U形弯管，将所述的平行掺杂纵栏连接在一起。

4.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括：

设置在下方的尾井包围了所述的至少一个掺杂纵栏的末端，其中尾井 的导电类型与掺杂纵栏的导电类型相同，掺杂浓度低于掺杂纵栏的掺杂浓 度。

5.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的多个背对背多 晶硅二极管由带有交替导电类型的掺杂多晶硅区形成，起稳压二极管的作 用，其中所述的掺杂多晶硅区设置在一个绝缘层上，覆盖着所述的半导体 衬底的顶面，延伸到所述的硅二极管，在所述的半导体衬底中，硅二极管 含有至少一个掺杂纵栏。

6.如权利要求5所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的多个背对背多 晶硅二极管的一个末端连接在一个栅极金属上，其中栅极金属与栅极浇道 沟道直接连接。

7.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括

设置在所述的半导体衬底中的浮动井，围绕在所述的硅二极管周围， 其中浮动井的导电类型与半导体衬底的导电类型相反。

8.如权利要求7所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的浮动井是深度 为2微米的深井。

9.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括：

栅源静电放电保护电路，其包括背对背栅源多晶硅二极管。

10.如权利要求9所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的栅漏箝位终端 和所述的栅源静电放电保护电路的制作加工是同时进行的。

11.一个位于半导体衬底上的半导体功率器件由多个沟道金属氧化物半导体 场效应管单元组成，其特征在于，半导体功率器件还包括：

一个串联在所述的栅极和所述的漏极之间的栅漏箝位终端，包括在一 侧串联在一个硅二极管上的多个背对背多晶硅二极管，在所述的半导体衬 底中，硅二极管含有至少一个掺杂纵栏，其中多个背对背多晶硅二极管在 另一侧连接到一个栅极金属上，栅极金属与栅极浇道沟道直接接触；

所述的栅漏箝位终端仅设置在支撑着所述的半导体功率器件的所述 半导体衬底一个边缘附近的一侧；

所述的掺杂纵栏包括平行掺杂纵栏，纵栏之间的缝隙是预设的。

12.如权利要求11所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括： 设置在下方的尾井包围了所述的至少一个掺杂纵栏的末端，其中尾井 的导电类型与掺杂纵栏的导电类型相同，掺杂浓度低于掺杂纵栏的掺杂浓 度。