[发明专利]功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法无效
| 申请号： | 200910201856.4 | 申请日： | 2009-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102074508A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 邵向荣;魏炜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，包括如下步骤：(1)在已做完栅极二氧化硅阻挡层刻蚀的基片上依次进行Body注入、去光阻及Body推进；(2)栅极沟道刻蚀，形成栅极；(3)源注入及源区推进；(4)接触孔刻蚀；(5)第一次接触孔注入；(6)接触孔沟槽刻蚀；(7)第二次接触孔注入；(8)后续工艺包括依次进行金属淀积、曝光和刻蚀。本发明在现有的功率MOS晶体管集成肖特基二极管的工艺基础上进一步改进，减少了光刻层，简化了工艺流程，降低了产品成本。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 晶体管 集成 肖特基 二极管 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)在已做完栅极二氧化硅阻挡层刻蚀的基片上依次进行Body注入、去光阻及Body推进；(2)栅极沟道刻蚀，形成栅极；(3)源注入及源区推进；(4)接触孔刻蚀；(5)第一次接触孔注入；(6)接触孔沟槽刻蚀；(7)第二次接触孔注入；(8)后续工艺包括依次进行金属淀积、曝光和刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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