[发明专利]功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法无效
| 申请号： | 200910201856.4 | 申请日： | 2009-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102074508A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 邵向荣;魏炜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mos 晶体管 集成 肖特基 二极管 工艺 方法 | ||
1.一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)在已做完栅极二氧化硅阻挡层刻蚀的基片上依次进行Body注入、去光阻及Body推进；
(2)栅极沟道刻蚀，形成栅极；
(3)源注入及源区推进；
(4)接触孔刻蚀；
(5)第一次接触孔注入；
(6)接触孔沟槽刻蚀；
(7)第二次接触孔注入；
(8)后续工艺包括依次进行金属淀积、曝光和刻蚀。
2.如权利要求1所述的功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，其特征在于：步骤(1)中，根据不同的阈值电压要求，所述Body注入的能量为120KeV-240KeV，剂量为0.8-2.4E13，角度为0-15度，Body推进的时间为30-100分钟，温度为1000-1150摄氏度。
3.如权利要求1所述的功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，其特征在于：步骤(2)中，所述栅极沟道刻蚀的深度为1.0至2.0微米。
4.如权利要求1所述的功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，其特征在于：步骤(3)中，所述源注入的能量为50-80KeV，剂量为1.0-8.0E15，所述源区推进的温度在900-950摄氏度，时间为30-60分钟。
5.如权利要求1所述的功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，其特征在于：步骤(4)中，所述接触孔刻蚀具体为：接触孔曝光、刻蚀至外延层表面，外延层过刻蚀100-500埃，形成接触孔隔离层。
6.如权利要求1所述的功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，其特征在于：步骤(5)中，所述第一次接触孔注入应确保接触孔侧壁形成欧姆接触，注入剂量为1.0-5.0E15的B+离子。
7.如权利要求1所述的功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，其特征在于：步骤(6)中，所述接触孔沟槽的深度为4000-7000埃。
8.如权利要求1所述的功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，其特征在于：步骤(7)中，所述第二次接触孔注入在接触孔沟槽双侧并接近底部，需确保没有注入在沟槽底部，形成肖特基接触，该第二次接触孔注入的能量为20-60KeV，剂量为0.3-1.2E13的B+离子，注入角度根据接触孔深宽比从30-60度调整。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
