[实用新型]超高功率LED光源的封装结构无效
申请号: | 200820136916.X | 申请日: | 2008-09-16 |
公开(公告)号: | CN201288953Y | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 李家茂 | 申请(专利权)人: | 李家茂 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V7/04;F21V7/20;H01L23/36;F21Y101/02 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型一种超高功率LED光源的封装结构,是由反射杯、金属沉热体、以及导热基座所组成,导热基座设置嵌槽,供金属沉热体作嵌置固定;金属沉热体上设置符合LED平面发光特性的导光面,改变光线输出角度,提升光学效率,且金属沉热体是导热良好、热容量大的导热体,可快速吸收LED晶片热量,并经由较大的表面积扩散至导热基座上,使设置在金属沉热体上的LED晶片所产生的热能快速散出,大幅降低LED晶片温度;金属沉热体外缘嵌置固设一符合LED平面光源发光特性的反射杯,反射杯内设置反光曲面,凭借改变反光曲率,得到不同光线投射分布。 | ||
搜索关键词: | 超高 功率 led 光源 封装 结构 | ||
【主权项】:
1. 一种超高功率LED光源的封装结构,其特征在于,包括:一反射杯,其内设置反光曲面;一金属沉热体,其外缘嵌置固设在所述的反射杯中,金属沉热体上设置有能够改变光线输出角度的导光面,且金属沉热体是导热良好、热容量大的导热体;以及一导热基座,设置嵌槽,供金属沉热体作嵌置固定。
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