[实用新型]超高功率LED光源的封装结构无效
| 申请号： | 200820136916.X | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN201288953Y | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李家茂 | 申请（专利权）人： | 李家茂 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V7/04;F21V7/20;H01L23/36;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超高 功率 led 光源 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种超高功率LED光源的封装结构，其特征在于，包括：
一反射杯，其内设置反光曲面；
一金属沉热体，其外缘嵌置固设在所述的反射杯中，金属沉热体上设置有能够改变光线输出角度的导光面，且金属沉热体是导热良好、热容量大的导热体；
以及一导热基座，设置嵌槽，供金属沉热体作嵌置固定。
2.根据权利要求1所述的超高功率LED光源的封装结构，其特征在于：导热基座设置贯穿孔，供螺丝插置锁合在灯具上。
3.根据权利要求1所述的超高功率LED光源的封装结构，其特征在于：金属沉热体上设置透孔，供LED晶片的接脚设置。
4.根据权利要求1所述的超高功率LED光源的封装结构，其特征在于：金属沉热体上设置的导光面，是由金属沉热体的中央向两旁分别设置右斜导光面与左斜导光面。
5.根据权利要求1所述的超高功率LED光源的封装结构，其特征在于：金属沉热体进一步设置有翼片。
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