[发明专利]提高半导体金属布线过程中铝铜互连的方法无效
| 申请号： | 200810127810.8 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101335234A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 金建熙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在半导体器件金属布线过程中增强铝和铜互连的方法。为了解决在金属沉积过程中由时间延迟导致的铜偏析引起的晶片产量降低，通过根据时间延迟以预定时间和预定温度在晶片上实施退火的淬火过程将铜沉淀重新凝固进铝膜。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 半导体 金属 布线 过程 中铝铜 互连 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在一室中在一晶片上形成绝缘层；然后在所述绝缘层上为金属布线形成阻挡层；然后在所述阻挡层上为所述金属布线形成铝铜合金层；然后在所述铝铜合金层上形成抗反射涂膜；然后在形成所述抗反射涂覆膜之后，将所述晶片在所述室中保持一预定时间；然后在所述晶片上实施退火过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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