[发明专利]提高半导体金属布线过程中铝铜互连的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在一室中在一晶片上形成绝缘层；然后

在所述绝缘层上为金属布线形成阻挡层；然后

在所述阻挡层上为所述金属布线形成铝铜合金层；然后

在所述铝铜合金层上形成抗反射涂膜；然后

在形成所述抗反射涂覆膜之后，将所述晶片在所述室中 保持一预定时间；然后

在所述晶片上实施退火过程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，当形成所述抗反射涂覆膜 之后，并且所述晶片在所述室中保持少于2小时时，在350℃ 或更高的温度下对所述晶片实施70秒或更长时间的退火过 程。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，当形成所述抗反射涂覆膜 之后，并且所述晶片在所述室中保持少于2小时时，在400℃ 或更高的温度下对所述晶片实施200秒或更长时间的退火过 程。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阻挡膜包含TiN、Ti 和TiW中的任一种。

5.一种方法，包括：

在一室中在一晶片上形成具有铝成分和铜成分的金属 层；然后

在所述金属层上形成抗反射涂覆膜；然后

将所述晶片在所述室中保持第一预定时间；然后

以一预定温度和第二预定时间对所述晶片实施退火过 程。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一预定时间少于2 小时，而所述第二预定时间是70秒或更长。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述预定温度是350℃。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一预定时间少于2 小时，而所述第二预定时间是200秒或更长。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述预定温度是400℃ 或更高。

10.根据权利要求5所述的方法，其中，所述阻挡膜包含TiN。

11.根据权利要求5所述的方法，其中，所述阻挡膜包含Ti。

12.根据权利要求5所述的方法，其中，所述阻挡膜包含TiW。

13.一种方法，包括：

在一室中在一晶片上为金属布线形成铝铜合金层；然后

在所述铝铜合金层上形成抗反射涂覆膜；然后

在所述室中保持所述晶片；然后

对所述晶片以预定时间和预定温度实施退火过程。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述预定时间是70秒或 更长。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述预定温度是350℃ 或更高。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述预定时间是70秒或 更长，而所述预定温度是350℃。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述预定时间是200秒 或更长。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述预定温度是400℃ 或更高。

19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述预定时间是200秒 或更长，而所述预定温度是400℃。

20.根据权利要求13所述的方法，进一步包含，在形成所述铝铜 层之前：

在所述晶片上形成绝缘层；然后

在所述绝缘层上形成阻挡膜。