[发明专利]超结功率半导体器件有效
| 申请号： | 200780049913.0 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101641791A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·M·金策 | 申请（专利权）人： | 西利康尼克斯科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 禇海英;武玉琴 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 一种超结功率半导体器件，其包括多个沟槽栅极(16，图1)和多个间隔的漂移区域(32)，各漂移区域从各自的栅极槽(14)延伸至作为漏极的基板(10)，并且仅沿着栅极槽(14)的侧壁的一部分延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，其包括：一种导电类型的半导体基板；在所述基板的表面上的另一种导电类型的外延半导体主体；在所述的外延半导体主体中的栅极槽；所述一种导电类型的漂移区域，其至少从所述栅极槽的底部延伸至所述基板，并且仅沿着所述栅极槽的侧壁的一部分延伸，所述一种导电类型的所述漂移区域与所述外延半导体主体处于电荷平衡；所述一种导电类型的源极区域，其与所述栅极槽相邻地形成于所述外延半导体主体中，并且通过与所述栅极槽相邻的可反转的沟道区域与所述一种导电类型的漂移区域隔开；与至少所述源极区域电阻性接触的源极接触部；和与所述基板电阻性接触的漏极接触部。
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