[发明专利]超结功率半导体器件有效
| 申请号： | 200780049913.0 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101641791A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·M·金策 | 申请（专利权）人： | 西利康尼克斯科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 禇海英;武玉琴 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
1.一种功率半导体器件，其包括：
一种导电类型的半导体基板；
在所述基板的表面上的另一种导电类型的外延半导体主体；
在所述的外延半导体主体中的栅极槽；
所述一种导电类型的漂移区域，其至少从所述栅极槽的底部延伸至所述基板，并且仅沿着所述栅极槽的侧壁的一部分延伸，所述一种导电类型的所述漂移区域与所述外延半导体主体处于电荷平衡；
所述一种导电类型的源极区域，其与所述栅极槽相邻地形成于所述外延半导体主体中，并且通过与所述栅极槽相邻的可反转的沟道区域与所述一种导电类型的漂移区域隔开；
与至少所述源极区域电阻性接触的源极接触部；和
与所述基板电阻性接触的漏极接触部，其中，所述漂移区域包括与所述基板相邻的高电阻率区域和与所述栅极槽相邻的低电阻率区域。
2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述一种导电类型的漂移区域延伸进入所述基板中。
3.如权利要求1所述的功率半导体器件，还包括：
位于所述栅极槽中的氧化物主体，所述氧化物主体包括至少与所述可反转的沟道区域相邻的栅极氧化物部分以及与所述漂移区域相邻的加厚部分；
以及位于所述栅极槽中且与所述氧化物主体相邻的栅极。
4.如权利要求1所述的功率半导体器件，还包括所述另一种导电类型的高电导率区域，其形成于所述外延半导体主体中并且与所述源极接触部电阻性接触。
5.如权利要求3所述的功率半导体器件，其中，所述栅极由多晶硅制成。
6.如权利要求5所述的功率半导体器件，其中，所述多晶硅为N型。
7.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述一种导电类型为N型，并且所述另一种导电类型为P型。
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