[发明专利]沟渠式功率晶体管的制备方法无效
| 申请号： | 200710110067.0 | 申请日： | 2007-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101325159A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张大庆;陈锰宏;陈武雄 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 许向华 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种沟渠式功率晶体管的制备方法，首先形成一具有多个开口的掩模层于一半导体基板上，并局部去除该开口下方的半导体基板以形成多个以阵列方式设置的沟渠于该半导体基板中。接着，涂布一覆盖该掩模层表面的光致抗蚀剂层。定义该光致抗蚀剂层并去除未被该光致抗蚀剂层覆盖的掩模层而形成一掩模区块，其定义该阵列区并曝露在该阵列区内的半导体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 功率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟渠式功率晶体管的制备方法，包括下列步骤：形成具有至少一开口的第一掩模于基板上；进行第一蚀刻工艺，局部去除该开口下方的基板以形成至少一沟渠于该基板中；形成局部覆盖该第一掩模的第二掩模；以及进行第二蚀刻工艺，局部去除未被该第二掩模覆盖的第一掩模以定义阵列区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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