[发明专利]沟渠式功率晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种沟渠式功率晶体管的制备方法，包括下列步骤：

形成具有至少一开口的第一掩模于基板上；

进行第一蚀刻工艺，局部去除该开口下方的基板以形成至少一沟渠于该基板中；

形成局部覆盖该第一掩模的第二掩模；以及

进行第二蚀刻工艺，局部去除未被该第二掩模覆盖的第一掩模以定义阵列区。

2.根据权利要求1的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中形成具有至少一开口的第一掩模于基板上包括：

形成介电层于该基板上；

形成局部覆盖该介电层的光致抗蚀剂层；以及

局部去除未被该光致抗蚀剂层覆盖的介电层以形成该第一掩模。

3.根据权利要求1的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中该第一掩模的材质是氧化硅。

4.根据权利要求1的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中该第一蚀刻工艺是干蚀刻工艺。

5.根据权利要求1的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中形成局部覆盖该第一掩模的第二掩模包括：

涂布覆盖该第一掩模表面的光致抗蚀剂层；

利用曝光显影工艺定义该光致抗蚀剂层而形成该第二掩模。

6.根据权利要求1的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中该第二掩模的材质是光致抗蚀剂。

7.根据权利要求1的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中该第二蚀刻工艺是湿蚀刻工艺。

8.根据权利要求7的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中该湿蚀刻工艺使用的蚀刻液包括氢氟酸。

9.根据权利要求1的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中该基板包括N⁺硅层以及设置于该N⁺硅层上的N^-硅层，而该沟渠设置于该N^-硅层之中。

10.根据权利要求1的沟渠式功率晶体管的制备方法，其另包括下列步骤：

形成栅极氧化层于该沟渠的内壁；

形成导电区块于该沟渠内；以及

形成掺杂区于该沟渠侧边的基板中。

11.根据权利要求10的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中该导电区块包括多晶硅。

12.根据权利要求1的沟渠式功率晶体管的制备方法，其另包括进行热氧化工艺以圆弧化该沟渠的转角。

13.一种沟渠式功率晶体管的制备方法，包括下列步骤：

形成具有多个开口的掩模层于半导体基板上；

局部去除该开口下方的半导体基板以形成多个以阵列方式设置的沟渠于该半导体基板中；

涂布覆盖该掩模层表面的有源区域光致抗蚀剂层；

定义该有源区域光致抗蚀剂层以局部覆盖该掩模层；以及

进行湿蚀刻工艺以局部去除未被该有源区域光致抗蚀剂层覆盖的掩模层而曝露在该阵列区内的半导体基板。

14.根据权利要求13的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中形成具有多个开口的掩模层于半导体基板上包括：

形成氧化硅层于该半导体基板上；

形成沟渠光致抗蚀剂层以局部覆盖该氧化硅层；以及

局部去除未被该沟渠光致抗蚀剂层覆盖的氧化硅层。

15.根据权利要求13的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中进行干蚀刻工艺来局部去除该开口下方的半导体基板。

16.根据权利要求13的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中该湿蚀刻工艺使用的蚀刻液包括氢氟酸。

17.根据权利要求13的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中该半导体基板包括N⁺硅层以及设置于该N⁺硅层上的N^-硅层，而该沟渠设置于该N^-硅层之中。

18.根据权利要求13的沟渠式功率晶体管的制备方法，其另包括下列步骤：

形成栅极氧化层于该沟渠的内壁；

形成导电区块于该沟渠内；以及

形成掺杂区于该沟渠侧边的半导体基板中。

19.根据权利要求18的沟渠式功率晶体管的制备方法，其中该导电区块包括多晶硅。

20.根据权利要求13的沟渠式功率晶体管的制备方法，其另包括进行热氧化工艺以圆弧化该沟渠的转角。