[发明专利]提高磁隧道结中击穿电压的方法无效
| 申请号： | 01140855.3 | 申请日： | 2001-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1354519A | 公开（公告）日： | 2002-06-19 |
| 发明（设计）人： | J·H·尼克尔 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/10;G11C11/02;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁隧道结(30)包括具有不完全处理(例如欠氧化)的基底材料的隧道层(40)。这种磁隧道结(30)可用于磁随机存取存储(“MRAM”)器件(8)中。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 隧道 击穿 电压 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁随机存取存储器件(8)，它包括含有磁隧道结(30)的存储单元(12)的阵列，所述磁隧道结(30)包括具有不完全处理的基底材料的隧道层(40)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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