[实用新型]热沉封接结构的半导体功率管壳

说明书

本实用新型涉及一种半导体功率管壳、特别是一种热沉封接结构的半导体功率管壳。

半导体器件的壳体是半导体器件的一个重要组成部分，它不仅保护着半导体器件的芯片免受外部有害环境的污染，而且对器件的热性能、电性能和可靠性均起着极为关键的作用，特别是航空、航天、军事工程、大型电子系统用的半导体器件，其壳体的性能和质量直接影响着半导体器件的性能和可靠性，直接关系到产品的成品率和制造成本，现行的半导体功率管，其管壳（如附图1所示）由陶瓷制做的腔体4、盖板3、引线2和导热性能好的无氧铜底座1焊接制成，由于陶瓷腔体4和无氧铜底座1材料的膨胀系数不一致，在环境温度变化的情况下，会产生陶瓷炸裂、封接处破坏等弊端，损坏管壳的气密性和芯片的特性，所以，这样封装结构的半导体器件用于航空、航天、军事工程、大型电子系统是极不可靠的。

本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足，而提供一种热沉封接结构的半导体功率管壳。

本实用新型的目的可以通过这样的技术方案来实现：即在构成半导体功率管壳的陶瓷腔体4与无氧铜底座1间垫入机械强度高、导热性能好、热膨胀系数和陶瓷腔体4非常匹配的垫沉5，使陶瓷腔体4与无氧铜底座1的封接获得成功，适应于环境温度的变化。

上述的陶瓷腔体4可以是BeO陶瓷腔体；也可以是Al₂O₃陶瓷腔体；还可以是BeO陶瓷和Al₂O₃陶瓷结合的腔体。

而上述的热沉5可以是W－Cu材料制做的；也可以是三层Cu－Mo复合材料制做的。

下面结合实施例及其附图对本实用新型作进一步的详述：

图1为现有的陶瓷腔体和无氧铜底座直接封接的半导体功率管壳的示意图。

图2为本实用新型实施例所提供的热沉封接结构的半导体功率管壳的示意图。

参照附图2，本实用新型实施例所提供的热沉封接结构的半导体功率管壳，它包括BeO陶瓷材料制做的腔体4、盖板3、可伐引线2、导热性能好的无氧铜底座1和封焊在陶瓷腔体4与无氧铜底座1间的W－Cu热沉5，是在构成半导体功率管壳的BeO陶瓷腔体4与无氧铜底座1间垫入机械强度高、导热性能好、制作成本低、热膨胀系数和BeO陶瓷腔体4非常匹配的W－Cu热沉5焊接制成的。

本实用新型所提供的热沉封接结构的半导体功率管壳，结构简单、机械强度高、气密性好、可靠性高、散热性能好，克服了现有技术中的膨胀系数不一致的陶瓷腔体和无氧铜底座直接封接不适应环境温度变化的弊端，使用该半导体功率管壳作壳体的半导体器件具有航空航天业、军事工程、大型电子系统所要求的长期的高可靠性，因此可广泛应用于航空、航天、军事工程、大型电子系统。