[实用新型]热沉封接结构的半导体功率管壳无效
| 申请号： | 93206349.7 | 申请日： | 1993-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN2152306Y | 公开（公告）日： | 1994-01-05 |
| 发明（设计）人： | 邓忠敏 | 申请（专利权）人： | 机械电子工业部第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02 |
| 代理公司： | 石家庄市专利事务所 | 代理人： | 田文其 |
| 地址： | 050051*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热沉封接 结构 半导体 功率 管壳 | ||
【权利要求书】：
1、一种热沉封接结构的半导体功率管壳，具有引线2、盖板3，其特征在于：它是由陶瓷材料制做的腔体4、盖板3、引线2、无氧铜底座1和封焊在陶瓷腔体4与无氧铜底座1间的热沉5焊接制成的。
2、根据权利要求1所述的热沉封接结构的半导体功率管壳，其特征在于：腔体4为BeO陶瓷腔体。
3、根据权利要求1所述的热沉封接结构的半导体功率管壳，其特征在于：腔体4为Al2O3陶瓷腔体。
4、根据权利要求1所述的热沉封接结构的半导体功率管壳，其特征在于：腔体4为BeO陶瓷和Al2O3陶瓷结合的腔体。
5、根据权利要求2、3或4所述的热沉封接结构的半导体功率管壳，其特征在于：热沉5是用W－Cu材料制做的。
6、根据权利要求2、3或4所述的热沉封接结构的半导体功率管壳，其特征在于：热沉5是用三层Cu－Mo复合材料制做的。
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