[实用新型]超大芯片高功率多引脚半导体元器件封装装置

权利要求书

1.超大芯片高功率多引脚半导体元器件封装装置，包括封装模块（1），其特征在于，还包括：

所述封装模块（1）顶部开设有两组型腔（2），两组所述型腔（2）之间连通设有串联流道（4）；

所述型腔（2）中部设有矫正弧面（3），所述矫正弧面（3）设置为超大球面的矩形栽切体，所述型腔（2）两侧与封装模块（1）之间均匀开设有多个排气槽（5）；

所述封装模块（1）两端均设有镶嵌浇口（6），所述封装模块（1）与镶嵌浇口（6）连接处开设有嵌设槽；

所述封装模块（1）底部设有多个顶出杆衬套（7），所述封装模块（1）与顶出杆衬套（7）连接处开设有衬套固定孔（8），所述封装模块（1）底部横向开设有封装模块定位槽（9）。

2.根据权利要求1所述的超大芯片高功率多引脚半导体元器件封装装置，其特征在于：所述型腔（2）设置为尺寸相等的大尺寸腔体，所述串联流道（4）深度小于型腔（2）深度。

3.根据权利要求1所述的超大芯片高功率多引脚半导体元器件封装装置，其特征在于：所述衬套固定孔（8）贯穿封装模块（1）与型腔（2）相连通，所述衬套固定孔（8）用于收纳顶出杆衬套（7）。

4.根据权利要求1所述的超大芯片高功率多引脚半导体元器件封装装置，其特征在于：所述封装模块（1）包括多组大小不同排气槽（5），用于型腔（2）内空气的排出。

5.根据权利要求1所述的超大芯片高功率多引脚半导体元器件封装装置，其特征在于：所述矫正弧面（3）设置为俯视为矩形的超大球面切割体，且矫正弧面（3）设置为中间高两端低的弧形过度面，所述矫正弧面（3）高于型腔（2）底面高度。

6.根据权利要求1所述的超大芯片高功率多引脚半导体元器件封装装置，其特征在于：所述镶嵌浇口（6）与嵌设槽卡接，且镶嵌浇口（6）顶部开设有注料口（10）。