[实用新型]一种半导体电路及智能功率模块

说明书

本实用新型提供了一种半导体电路及智能功率模块，包括：驱动IC芯片、多个电容和多组功率模块，所述驱动IC芯片引脚分别与所述多个电容、所述多组功率模块电连接；所述多组功率模块包括RC绝缘栅双极型晶体管和与所述RC绝缘栅双极型晶体管并联的绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的源极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的源极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极、所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极分别连接至所述驱动IC芯片的引脚。本实用新型体积小、工艺简单、生产效率高。

技术领域

本实用新型涉及智能功率模块技术领域，尤其涉及一种半导体电路及智能功率模块。

背景技术

智能功率模块，即IPM(Intelligent Power Module)，是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。智能功率模块把功率开关器件和高压驱动电路集成在一起，并内藏有过电压、过电流和过热等故障检测电路。智能功率模块一方面接收MCU的控制信号，驱动后续电路工作，另一方面将系统的状态检测信号送回MCU。

现有的智能功率模块以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电的一种理想电力电子器件。

然而，现有的智能功率模块常用ICBT绝缘栅双极型晶体管和FRD二极管组合使用，该组合模块体积比较大，热阻比较高，从而导致损耗大，安全性低。

实用新型内容

针对以上相关技术的不足，本实用新型提出一种模块体积小、工艺简单、生产效率高的半导体电路及智能功率模块。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种半导体电路，包括：驱动IC芯片、多个电容和多组功率模块，所述驱动IC芯片引脚分别与所述多个电容、所述多组功率模块电连接；

所述多组功率模块包括RC绝缘栅双极型晶体管和与所述RC绝缘栅双极型晶体管并联的绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极与所述RC 绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的源极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的源极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极、所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极分别连接至所述驱动IC芯片的引脚。

优选的，所述驱动IC芯片为6通道IC芯片，所述多组功率模块包括6组，且每一组分别与所述驱动IC芯片连接。

优选的，所述RC绝缘栅双极型晶体管包括第一绝缘栅双极型晶体管和第一二极管，所述第一绝缘栅双极型晶体管的源极和所述第一二极管的正极连接，所述第一绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述第一二极管的负极连接。

优选的，所述多个电容包括第一电容、第二电容和第三电容，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容分别并联于所述驱动IC芯片的引脚上。

优选的，所述驱动IC芯片包括：高侧驱动电路和低侧驱动电路，所述高侧驱动电路和所述低侧驱动电路相互连接。

优选的，所述高侧驱动电路包括：高侧欠压保护电路和与所述高侧欠压保护电路连接的自举电路，所述高侧欠压保护电路用于实现高侧驱动欠压保护功能，所述自举电路用于实现自举供电功能。

优选的，所述高侧驱动电路与所述低侧驱动电路之间还连接互锁与死区电路。