[实用新型]一种半导体电路及智能功率模块

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，包括：驱动IC芯片、多个电容和多组功率模块，所述驱动IC芯片引脚分别与所述多个电容、所述多组功率模块电连接；

所述多组功率模块包括RC绝缘栅双极型晶体管和与所述RC绝缘栅双极型晶体管并联的绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的源极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的源极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极、所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极分别连接至所述驱动IC芯片的引脚。

2.如权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述驱动IC芯片为6通道IC芯片，所述多组功率模块包括6组，且每一组分别与所述6通道IC芯片连接。

3.如权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述RC绝缘栅双极型晶体管包括第一绝缘栅双极型晶体管和第一二极管，所述第一绝缘栅双极型晶体管的源极和所述第一二极管的正极连接，所述第一绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述第一二极管的负极连接。

4.如权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述多个电容包括第一电容、第二电容和第三电容，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容分别并联于所述驱动IC芯片的引脚上。

5.如权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述驱动IC芯片包括：高侧驱动电路和低侧驱动电路，所述高侧驱动电路和所述低侧驱动电路相互连接。

6.如权利要求5所述的半导体电路，其特征在于，所述高侧驱动电路包括：高侧欠压保护电路和与所述高侧欠压保护电路连接的自举电路，所述高侧欠压保护电路用于实现高侧驱动欠压保护功能，所述自举电路用于实现自举供电功能。

7.如权利要求6所述的半导体电路，其特征在于，所述高侧驱动电路与所述低侧驱动电路之间还连接互锁与死区电路。

8.如权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述RC绝缘栅双极型晶体管包括第一RC绝缘栅双极型晶体管和第二RC绝缘栅双极型晶体管，所述半导体电路还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及电源，所述第一电阻的第一端连接于所述电源的正极，所述第一电阻的第二连接于所述第一RC绝缘栅双极型晶体管的漏极，所述第二电阻的两端分别连接于所述第一RC绝缘栅双极型晶体管的漏极和源极，所述第三电阻连接于所述第二RC绝缘栅双极型晶体管的栅极，所述第四电阻的两端分别连接于所述第二RC绝缘栅双极型晶体管的源极和所述电源的负极。

9.一种智能功率模块，其特征在于，包括电路铝基板、绝缘层、电路布线、多个电路元件、导线、多个引脚、密封树脂以及如权利要求1-8任一项所述的半导体电路；

所述半导体电路集成于所述电路铝基板内，所述绝缘层设置于所述电路铝基板上，所述电路布线设置于所述绝缘层上，所述多个电路元件、所述引脚设置于所述电路布线上，所述多个电路元件之间通过所述导线连接，所述密封树脂密封所述电路铝基板、所述绝缘层、所述电路布线、所述多个电路元件、所述导线及所述多个引脚。

10.如权利要求9所述的智能功率模块，其特征在于，所述电路铝基板的背面形成有纹理，所述多个引脚之间还设有加强筋。