[实用新型]一种提高芯片ESD性能的封装结构

权利要求书

1.一种提高芯片ESD性能的封装结构，在芯片上包括多个普通IO、电源VDDIO和地VSSIO，电源环将所有IO的VDD线连接在一起，地环将所有IO的VSS线连接在一起，其特征在于，在芯片上插入多个辅助VSS IO，多个辅助VSSIO与地环连接，通过封装飞线将插入的多个辅助VSSIO两两连接。

2.根据权利要求1所述的提高芯片ESD性能的封装结构，其特征在于，辅助VSSIO的数量为偶数。

3.根据权利要求1所述的提高芯片ESD性能的封装结构，其特征在于，辅助VSS IO可插入在任意相邻两个或多个IO之间。

4.根据权利要求1所述的提高芯片ESD性能的封装结构，其特征在于，ESD电流通过封装飞线进行传导。