[实用新型]一种提高凸块及再布线层均匀性的芯片封装结构有效
| 申请号： | 202220876408.5 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN217361566U | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 郭红红;周江南 | 申请（专利权）人： | 江苏芯德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 南京华恒专利代理事务所(普通合伙) 32335 | 代理人： | 裴素艳 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 布线 均匀 芯片 封装 结构 | ||
1.一种提高凸块及再布线层均匀性的芯片封装结构，其特征在于：包括晶圆、设置于晶圆表面的再布线层和凸块；
所述晶圆包括有效区域和无效区域，所述有效区域设有芯片和芯片压区；
所述再布线层包括实际再布线层和虚拟再布线层，所述实际再布线层通过芯片压区与芯片互连；
所述凸块包括实际凸块和虚拟凸块，所述实际凸块通过实际再布线层与芯片互连，所述虚拟凸块通过虚拟再布线层与晶圆接触；
在晶圆的无效区域上设置再布线层和凸块，且无效区域凸块的高度与晶圆有效区域的凸块高度相同。
2.根据权利要求1所述的提高凸块及再布线层均匀性的芯片封装结构，其特征在于：在晶圆的无效区域和有效区域上顺序覆盖第一再钝化层、第一种子层、再布线层、第二再钝化层和第二种子层，所述第一再钝化层和第二再钝化层上设有缺口，第二再钝化层和第二种子层表面的缺口供凸块嵌入。
3.根据权利要求2所述的提高凸块及再布线层均匀性的芯片封装结构，其特征在于：所述第一种子层、再布线层对应覆盖在第一再钝化层的缺口处，所述第二种子层对应覆盖在第二再钝化层的缺口处。
4.根据权利要求1所述的提高凸块及再布线层均匀性的芯片封装结构，其特征在于：所述晶圆的无效区域包括晶圆生长晶相切口以上3mm区域及晶圆序列标注周围。
5.根据权利要求1所述的提高凸块及再布线层均匀性的芯片封装结构，其特征在于：所述晶圆有效区域上的凸块对应设置在芯片压区上。
6.根据权利要求1所述的提高凸块及再布线层均匀性的芯片封装结构，其特征在于：所述晶圆无效区域上的凸块位于晶相切口两侧。
7.根据权利要求1或6所述的提高凸块及再布线层均匀性的芯片封装结构，其特征在于：所述晶圆无效区域上至少布置一行凸块。
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