[发明专利]一种用于提高通孔板气密性PCB板及其制备方法

权利要求书

1.一种用于提高通孔板气密性PCB板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)对钻有通孔的基板依次进行镀铜、塞油以及覆盖干膜后得到第一基板；

(2)在步骤(1)所得第一基板的通孔处制备第一镍金镀层，得到第二基板；

(3)在步骤(2)所得第二基板的通孔处沉积纳米镀层，去除干膜后制备第二镍金镀层，得到所述用于提高通孔板气密性的PCB板。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述塞油包括：采用印刷机将干绿油塞入通孔内；

优选地，步骤(1)所述塞油后包括干燥；

优选地，所述干燥的温度为115～135℃；

优选地，所述干燥的时间为30～60min。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述覆盖干膜后包括干膜开孔的步骤；

优选地，所述干膜开孔的位置与通孔位置相对应。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第一镍金镀层包括依次叠加设置的镍层和金层；

优选地，所述镍层的厚度≥3.8μm；

优选地，所述金层的厚度≥0.05μm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第一镍金镀层的制备工艺包括电镀工艺或化金工艺。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述纳米镀层包括二氧化硅镀层和/或三氧化二铝镀层；

优选地，步骤(3)所述纳米镀层的厚度为0.05～0.1μm。

7.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述纳米镀层的制备工艺包括气相沉积工艺；

优选地，所述气相沉积工艺中的真空度大于1×10³mbar；

优选地，所述气相沉积工艺中纳米镀层的生长温度为130～160℃。

8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述去除干膜后还包括依次进行的酸洗、水洗以及烘干；

优选地，所述酸洗中的清洗液包括硫酸和/或盐酸；

优选地，所述清洗液的酸度为2～8％；

优选地，所述酸洗的时间为10～30s；

优选地，所述水洗的时间为20～60s；

优选地，所述烘干的温度为80～90℃；

优选地，所述烘干的时间为15～40s。

9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)对钻有通孔的基板依次进行镀铜、塞油、115～135℃温度下干燥30～60min以及覆盖干膜后得到第一基板；

其中，覆盖干膜后包括干膜开孔的步骤，所述干膜开孔的位置与通孔位置相对应；

(2)采用电镀工艺或化金工艺在步骤(1)所得第一基板的通孔处制备第一镍金镀层，得到第二基板；

其中，所述第一镍金镀层包括依次叠加设置的厚度≥3.8μm的镍层和厚度≥0.05μm的金层；

(3)在步骤(2)所得第二基板的通孔处采用气相沉积法沉积厚度为0.05～0.1μm的纳米镀层，去除干膜后制备第二镍金镀层，得到所述用于提高通孔板气密性的PCB板；

其中，去除干膜后还包括依次进行的酸洗、水洗以及烘干；所述酸洗中的清洗液包括酸度为2～8％的硫酸和/或盐酸；所述酸洗的时间为10～30s，水洗的时间为20～60s；烘干的温度为80～90℃，时间为15～40s。

10.一种用于提高通孔板气密性PCB板，其特征在于，所述用于提高通孔板气密性PCB板采用权利要求1-9任一项所述的制备方法得到。