[发明专利]一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备有效

专利信息
申请号: 202211008146.1 申请日: 2022-08-22
公开(公告)号: CN115341273B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 高平奇;赵天歌;郁建灿;朱瑞楠;朱梦琼 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C30B25/00 分类号: C30B25/00;C30B29/46;H10N10/852;H10N10/01
代理公司: 广东南北知识产权代理事务所(普通合伙) 44918 代理人: 李思坪
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 尺寸 二维 热电 材料 碲化铋单晶 制备
【权利要求书】:

1.一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备方法,其特征在于,以碲化铋粉末为源,将碲化铋放置在单温区水平管式炉的中心加热区,并将衬底放置在单温区水平管式炉的下游变温区,然后控制中心加热区的温度为400-600℃,通过以氢气-惰性气体的混合气作为载气将碲化铋蒸发产生的Bi源和Te源传输至衬底处,使Bi和Te在氢气作用下进行反应,进而在衬底上生成大尺寸的碲化铋单晶,所述氢气-惰性气体的混合气中,惰性气体的流量为50-100sccm,氢气的流量为2.5-15sccm。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备方法,其特征在于,中心加热区的温度为500℃。

3.根据权利要求1所述的一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备方法,其特征在于,所述氢气-惰性气体的混合气为氩气和氢气的混合气。

4.根据权利要求1所述的一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备方法,其特征在于,中心加热区的升温速率为20-30℃/min。

5.根据权利要求1所述的一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备方法,其特征在于,所述衬底为新鲜剥离的氟金云母衬底。

6.根据权利要求1所述的一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备方法,其特征在于,反应的时间为1-10min,反应结束后载气保持不变,产物随炉自然冷却至室温。

7.根据权利要求1所述的一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备方法,其特征在于,所述衬底放置在距离中心加热区12cm的下游变温区。

8.根据权利要求1所述的一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备方法,其特征在于,所述单温区水平管式炉的管长为100cm,外径为25mm,管壁厚度为2.5mm,中心加热区的长度为10cm。

9.根据权利要求1所述的一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备方法,其特征在于,中心加热区开始升温前,先将炉管内压强抽至10Pa,再充入600sccm氩气至大气压,并反复洗气,以排除残余氧气,随后开始加热,整个加热过程均持续通入氢气-惰性气体的混合气。

10.根据权利要求1所述的一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备方法,其特征在于,所述氢气-惰性气体的混合气中,惰性气体的流量为95sccm,氢气的流量为5sccm。

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