[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底尺寸不良片返工再利用工艺在审
| 申请号: | 202210297036.5 | 申请日: | 2022-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN114883177A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
| 发明(设计)人: | 闫士波;王刚;丁建峰;张洋洋;潘晓忠;姚志炎 | 申请(专利权)人: | 徐州美兴光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人: | 张入文 |
| 地址: | 221122 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 图形 蓝宝石 衬底 尺寸 不良 返工 再利用 工艺 | ||
1.一种图形化蓝宝石衬底尺寸不良片返工再利用工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1:一次检测,检测蓝宝石衬底尺寸不良片,底宽计为W,高度计为H;
S2:分类,尺寸标准规格中,底宽最大为MAXW,高度最大为MAXH;基于MAXW与MAXH进行分类;
其中,若W>MAXW,且H为标准规格则属于W类;
若W为标准规格,H>MAXH则属于H类;
若W>MAXW,H>MAXH则属于WH类;
S3:一次清洗;
S4:根据分类后的尺寸重新进入刻蚀机补刻;
S5:二次检测;
S6:二次清洗;
S7:分规,对补刻后产品进行常规AOI分规。
2.根据权利要求1所述的一种图形化蓝宝石衬底尺寸不良片返工再利用工艺,其特征在于,所述S1步骤与S5步骤中,对蓝宝石衬底尺寸不良片使用AFM即原子力显微镜进行尺寸检测。
3.根据权利要求1所述的一种图形化蓝宝石衬底尺寸不良片返工再利用工艺,其特征在于,所述S3步骤与S6步骤中,对蓝宝石衬底尺寸不良片采用SPM溶液进行清洗,清洗后甩干。
4.根据权利要求1所述的一种图形化蓝宝石衬底尺寸不良片返工再利用工艺,其特征在于,所述W类蓝宝石衬底尺寸不良片的补刻时间为每80~120s,减少W0.05um,减少H0.08um,上电极射频功率为1600~2000W,下电极射频功率为400~600W,温度控制在40~50℃,BCL3使用100,APC50%。
5.根据权利要求4所述的一种图形化蓝宝石衬底尺寸不良片返工再利用工艺,其特征在于,所述H类不良品补刻时间为每80~120s,减少W0.03um,减少H0.07um,上电极射频功率为1500~1900W,下电极射频功率为650~850W,温度控制在25~35℃,BCL3使用100,APC50%。
6.根据权利要求5所述的一种图形化蓝宝石衬底尺寸不良片返工再利用工艺,其特征在于,所述WH类补刻时间为每80~120s,减少W0.04um,减少H0.05um,上电极射频功率为1500~1900W,下电极射频功率为600~800W,温度控制在15~25℃,BCL3使用100,APC50%。
7.根据权利要求1所述的一种图形化蓝宝石衬底尺寸不良片返工再利用工艺,其特征在于,所述W类蓝宝石衬底尺寸不良片的补刻时间为每100s,减少W0.05um,减少H0.08um,上电极射频功率为1800W,下电极射频功率为500W,温度控制在45℃,BCL3使用100,APC50%。
8.根据权利要求7所述的一种图形化蓝宝石衬底尺寸不良片返工再利用工艺,其特征在于,所述H类不良品补刻时间为每100s,减少W0.03um,减少H0.07um,上电极射频功率为1700W,下电极射频功率为750W,温度控制在30℃,BCL3使用100,APC50%。
9.根据权利要求8所述的一种图形化蓝宝石衬底尺寸不良片返工再利用工艺,其特征在于,所述WH类补刻时间为每100s,减少W0.04um,减少H0.05um,上电极射频功率为1700W,下电极射频功率为700W,温度控制在20℃,BCL3使用100,APC50%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐州美兴光电科技有限公司,未经徐州美兴光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210297036.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





