[发明专利]电连接件、功率模块及封装工艺

说明书

本发明公开了一种电连接件、功率模块及封装工艺。电连接件用于功率模块中的覆铜基板以及裸芯片的互连，覆铜基板以及裸芯片的表面具有连接点，电连接件包括绝缘基体和至少两个电连接体，各电连接体相互隔离连接于绝缘基体，电连接体包括至少两个电连接部，各电连接部与各连接点的位置一一对应，且适于与连接点连接。本发明实施例的电连接件可以作为零件用于功率模块的封装。由于本电连接件的电连接部的位置与覆铜基板以及裸芯片上的各连接点的位置一一对应且适于连接，因此，在功率模块的封装工艺中，采用本实施例的电连接件，可一体实现多个电连接部和连接点之间的互连，可以极大地提高封装效率。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种电连接件、功率模块及封装工艺。

背景技术

在电力电子领域，集成化的功率模块因具有体积小、成本低和可靠性高等优点而被广泛应用。其中，基于MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等功率半导体器件的功率模块在诸如电动汽车等领域具有非常重要的应用前景，受到市场的广泛关注。

功率模块的封装工艺中，先将从晶圆上切割下来的功率半导体裸片与具有一定电路构造的覆铜基板通过例如烧结工艺进行连接，可以理解的是，由于功率半导体芯片的某些电极在芯片的上表面，无法通过基板直接实现其与另外的功率半导体芯片或者覆铜基板上的电路之间的连接，因此，还需要进行引线键合，以实现功率半导体芯片之间，以及功率半导体芯片与覆铜基板的电路之间的电性连接。相关技术中，常采用超声波焊接技术将铝线逐个焊接的方式实现前述的引线键合。可以理解的是，上述互连方式至少存在如下缺点：1、由于功率模块中集成了越来越多的功率半导体芯片，电路结构复杂，如果采用焊接铝线的方式实现芯片互连，造成制造时间延长，严重制约功率模块的封装效率；2、由于铝线较软，在制造以及搬运过程中，容易被碰弯变形引起短路等质量问题；3、超声波焊接的强度较低，存在键合失效的风险。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种电连接件，该电连接件用于功率模块中裸芯片之间，以及裸芯片与覆铜基板之间的互连，能够有效提高功率模块的封装效率。

本发明还提出一种具有上述电连接件的功率模块。

本发明还提出一种功率模块的封装工艺。

根据本发明的第一方面实施例的电连接件，用于功率模块中的覆铜基板以及裸芯片的互连，所述覆铜基板以及所述裸芯片的表面具有连接点，所述电连接件包括绝缘基体和至少两个电连接体，各所述电连接体相互隔离连接于所述绝缘基体，所述电连接体包括至少两个电连接部，各所述电连接部与各所述连接点的位置一一对应，且适于与所述连接点连接。

根据本发明实施例的电连接件，至少具有如下有益效果：由于本电连接件的电连接部的位置与覆铜基板以及裸芯片上的各连接点的位置一一对应且适于连接，因此，在功率模块的封装工艺中，采用本实施例的电连接件，可一体实现多个电连接部和连接点之间的互连，可以极大地提高封装效率。

根据本发明的一些实施例，所述电连接体由金属体折弯而成，所述电连接部形成于所述金属体的两个端头处，或所述电连接部形成于所述金属体的两个端头处以及至少一个弯折处。

根据本发明的一些实施例，所述电连接体中的一些具有两个所述电连接部，另一些具有三个及以上的所述电连接部。

根据本发明的一些实施例，所述绝缘基体包括封装块，各所述电连接体包裹于所述封装块内，至少所述电连接部的底面外露于所述封装块。

根据本发明的一些实施例，与所述覆铜基板上的所述连接点相对应的所述电连接部的底面位于第一平面，与所述裸芯片上的所述连接点相对应的所述电连接部的底面位于第二平面，沿所述封装块的厚度方向，所述第一平面凸出于所述第二平面。

根据本发明的一些实施例，所述绝缘基体包括柔性膜，各所述电连接体连接于所述柔性膜的一侧表面。