[实用新型]一种模具及功率模块有效
申请号: | 202123029776.0 | 申请日: | 2021-12-03 |
公开(公告)号: | CN216597519U | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 时尚起;张太之;何友东;曹玉昭;李剑垒;莫祖秀 | 申请(专利权)人: | 苏州汇川联合动力系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 许青华 |
地址: | 215104 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模具 功率 模块 | ||
本实用新型提供一种模具及功率模块,模具用于加工功率模块,功率模块包括相对设置的第一基板和第二基板,第一基板的面积小于第二基板的面积,模具包括本体,沿着本体的厚度方向设有限制第一基板的第一限位区域和限制第二基板的第二限位区域。本方案提供的模具可以提高产品良率及生产效率。
技术领域
本实用新型涉及烧结模具技术领域,尤其涉及一种模具及功率模块。
背景技术
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为功率模块应用场景广泛,绝缘栅双极型晶体管一般包括两个基板,具体地,为陶瓷覆铜板,其中一个截面积较大,另一个截面积较小,两个陶瓷覆铜板中间设有元器件。利用现有的模具生产绝缘栅双极型晶体管时,通常工序为先将元器件和截面积较大陶瓷覆铜板烧结在一起,再将已烧结元器件的陶瓷覆铜板放到模具中,最后放置截面积较小的陶瓷覆铜板到最表面,截面较小的陶瓷覆铜板通过热贴处理限位,然后进行加压烧结后得到烧结成品。如此,需要进行两次烧结,同时在第二次烧结过程中,陶瓷覆铜板非常容易移动,导致陶瓷覆铜板和元器件相对位置偏移或者产品报废。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种模具及功率模块,旨在改善现有的模具在生产绝缘栅双极型晶体管时,需要进行两次烧结,同时在第二次烧结过程中,陶瓷覆铜板非常容易移动,导致陶瓷覆铜板和元器件相对位置偏移或者产品报废的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型提供一种模具,用于加工功率模块,所述功率模块包括相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板的面积小于所述第二基板的面积,所述模具包括本体,沿着所述本体的厚度方向设有限制所述第一基板的第一限位区域和限制所述第二基板的第二限位区域。
可选地,在所述模具上开设有第一限位容设槽,所述第一基板容置于所述第一限位容设槽,所述第一限位容设槽的内壁形成所述第一限位区域。
可选地,所述第一限位容设槽的高度小于所述第一基板的厚度。
可选地,所述第一限位容设槽的高度至少达到所述第一基板的厚度的2/3以上。
可选地,在所述模具上开设有第二限位容设槽,所述第二容设槽的面积大于所述第二基板,所述第二限位容设槽的内壁形成所述第二限位区域。
可选地,在沿着所述本体的厚度方向上,所述第一限位容设槽的投影面积与所述第二限位容设槽的投影面积重叠。
可选地,所述第一限位区域与所述第二限位区域的中心处于同一直线上。
可选地,所述第二限位容设槽的高度小于所述第二基板的厚度。
可选地,所述第二限位容设槽的高度至少达到所述第二基板的厚度的2/3以上。
此外,本实用新型还提供一种功率模块,所述功率模块包括呈相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板的面积小于所述第二基板的面积,所述功率模块采用如上任意一项所述的模具加工制成。
本方案中,在烧结绝缘栅双极型晶体管时,先在第一基板一侧印刷银膏并进行烘烤,待银膏初步固化后,将元器件热贴到第一基板的银膏上,同时将第二基板的一侧印刷银膏并做烘烤。然后将已热贴元器件的第一基板放入所述第一限位区域中,并将第一基板热贴由元器件的一侧朝上,再将已烘烤后的第二基板印刷银膏面向下放入所述第二限位区域中。通过第一限位区域与第二限位区域实现对第一基板及第二基板的限位,以避免第一基板、第二基板及元器件的相对位置发生偏移,提高良率;同时,本方案只需要进行一次烧结工序,并不需要对基板进行热贴工序,提高烧结效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造