[实用新型]人造金刚石离子溅射仪用稳流模块

说明书

本实用新型属于人造金刚石的离子溅射仪技术领域，特别涉及一种人造金刚石离子溅射仪用稳流模块，包括依次连接的变压器、电桥和稳流电路，稳流电路包括：电阻R1～R11、电容C3～C6、晶体管VT1～VT5、可变电阻器RP、二极管D1～D4；R1和R2串联后耦合于输入端的正/负极之间；VT1的栅极与R1和R2公共端连接；R3耦合于VT1的漏极与VT2的漏极之间；R4耦合于VT1的栅极和漏极之间；R5耦合于VT1的栅极和VT3的源极之间；R6耦合于VT3的栅极和VT4的栅极之间；R7耦合于VT1的源极与VT4的漏极之间；R9和R8均耦合于VT5的漏极和输入端的负极之间。本实用新型的稳流模块，稳流效果好，结构简单，造价低，功耗小。

技术领域

本实用新型属于人造金刚石的离子溅射仪技术领域，特别涉及一种人造金刚石离子溅射仪用稳流模块。

背景技术

特殊领域用的人造金刚石，需要通过离子溅射仪在人造金刚石外表面溅射一层特殊的材料，以达到满足特殊用途的要求。

目前的离子溅射仪一般不是真多人造金刚石领域设计、生产和制造的。人造金刚石对于溅射的要求比一般领域高。现在市面上能采购的离子溅射仪由于其使用的稳流模块不够稳定，造成不能满足人造金刚石领域的离子溅射的需要。同时现有技术中的离子溅射仪的稳流模块的电路结构比较复杂，功耗比极高因此需要设置专门的散热设备，造价相对也比较高。

实用新型内容

本实用新型公开了一种人造金刚石离子溅射仪用稳流模块，包括依次连接的变压器、电桥和稳流电路，其特征在于，所述稳流电路包括：电阻R1～R11、电容C3～C6、晶体管VT1～VT5、可变电阻器RP、二极管D1～D4。

晶体管VT1的漏极与输入端的正极电连接，源极与输出端的正极电连接；输入端的负极与输出端的负极电连接；电阻R1和电阻R2串联后耦合于输入端的正极和负极之间；晶体管VT1的栅极与电阻R1和电阻R2的公共端电连接；电阻R3耦合于晶体管VT1的漏极与晶体管VT2的漏极之间；电阻R4耦合于晶体管VT1的栅极和漏极之间；电阻R5耦合于晶体管VT1的栅极和晶体管VT3的源极之间；电阻R6耦合于晶体管VT3的栅极和晶体管VT4的栅极之间；电阻R7耦合于晶体管VT1的源极与晶体管VT4的漏极之间；电阻R9和电阻R8均耦合于晶体管VT5的漏极和输入端的负极之间；二极管D1的负极与晶体管VT2的源极电连接，正极与输入端的负极电连接；二极管D2的正极与晶体管VT2的漏极电连接，负极与晶体管VT3的栅极电连接；二极管D3的正极与晶体管VT5的漏极电连接，负极通过电阻R10与输出端的负极电连接；电阻R10耦合于晶体管VT5的栅极和二极管D3的负极之间；可变电阻器RP的一端与二极管D3的负极电连接，另一端与二极管D4的正极电连接；二极管D4的负极与输出端的正极电连接；电容C3耦合于晶体管VT2的源极和晶体管VT3的漏极之间；电容C4耦合于晶体管VT3的栅极和输入端的负极之间；电容C5耦合于晶体管VT5的漏极和晶体管VT4的源极之间；电容C6耦合于晶体管VT5的源极和输出端正极之间。

进一步的，所述晶体管VT1～VT5均为NPN型晶体管。

进一步的，还包括耦合于输入端的正极和负极之间的电容C1。

更进一步的，还包括与电阻R1并联设置的电容C2，以及耦合于输出端的正极与负极之间的电容C7。

本实用新型的离子溅射仪的稳流模块，性能上在现有技术上能提高18％，能满足人造金刚石领域的使用要求；同时电路结构简单，造价低，功耗低，不用单独设置散热装置。

附图说明

本实用新型将通过例子并参照附图的方式说明，其中：

图1是人造金刚石离子溅射仪用稳流模块的稳流电路实施例一的电路原理图；

图2是人造金刚石离子溅射仪用稳流模块的稳流电路实施例二的电路原理图。

具体实施方式