[实用新型]一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统

权利要求书

1.一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：包括封气环、盖板、导流筒支撑环、内保温部和外保温部，其中，

所述内保温部设于所述外保温部的内部，且所述内保温部与所述外保温部的内侧面相接触；

所述盖板设于所述外保温部的一端，用于对所述外保温部和所述内保温部进行封盖；

所述导流筒支撑环设于所述外保温部的内部，且所述导流筒支撑环设于所述内保温部的靠近所述盖板的一端，用于对导流筒进行支撑；

所述封气环设于所述盖板的内侧，且所述封气环的一端与所述导流筒支撑环接触，所述封气环的高度大于所述盖板的高度，对气流进行疏导。

2.根据权利要求1所述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：所述外保温部的高度大于所述内保温部的高度，以便于所述导流筒支撑环设于所述内保温部的一端。

3.根据权利要求2所述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：所述内保温部的高度与所述导流筒支撑环的高度之和小于所述外保温部的高度，以使得所述盖板与所述内保温部之间具有间隙，所述导流筒支撑环插接于所述间隙内。

4.根据权利要求3所述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：所述外保温部与所述内保温部的高度差为10-20mm，所述外保温部与所述导流筒支撑环之间的高度差为3-8mm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：所述封气环与所述盖板的高度差为5-15mm。

6.根据权利要求5所述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：所述外保温部为等厚度结构。

7.根据权利要求6所述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：所述外保温部为保温固碳。

8.根据权利要求6或7所述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：所述内保温部为上保温筒。

9.根据权利要求1-4和6-7任一项所述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：所述盖板包括第一接触部和第二接触部，所述第一接触部与所述第二接触部连接，所述第二接触部的高度大于所述第一接触部的高度，所述第一接触部与所述外保温部接触配合，所述第二接触部与所述导流筒支撑环接触配合，且所述第二接触部与所述外保温部的内侧面接触配合。

10.一种单晶炉系统，其特征在于：包括如权利要求1-8任一项所述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，所述提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构设于中保温筒的上部。