[实用新型]一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统

说明书

本实用新型提供一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统，包括封气环、盖板、导流筒支撑环、内保温部和外保温部，其中，内保温部设于外保温部的内部，且内保温部与外保温部的内侧面相接触；盖板设于外保温部的一端，用于对外保温部和内保温部进行封盖；导流筒支撑环设于外保温部的内部，且导流筒支撑环设于内保温部的靠近盖板的一端，用于对导流筒进行支撑；封气环设于盖板的内侧，且封气环的一端与导流筒支撑环接触，封气环的高度大于盖板的高度，对气流进行疏导。本实用新型的有益效果是减少热量的散失，加强对气流的疏导，加强热场结构的保温效果，减少热量波动，提高热场的热稳定性，减少由于气流或保温效果引起的断苞扩断现象的发生。

技术领域

本实用新型属于直拉单晶技术领域，尤其是涉及一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统。

背景技术

生产大尺寸直拉单晶硅的优势是产能，产能的关键在于成晶、整棒率，其中整棒率的关键点在于工艺参数的匹配与热场设计的合理性。现有的热场结构中，热量损耗大，保温效果不好，热量波动大，单晶拉制时的整棒率低。

发明内容

鉴于上述问题，本实用新型提供一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统，以解决现有技术存在的以上或者其他问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，包括封气环、盖板、导流筒支撑环、内保温部和外保温部，其中，

内保温部设于外保温部的内部，且内保温部与外保温部的内侧面相接触；

盖板设于外保温部的一端，用于对外保温部和内保温部进行封盖；

导流筒支撑环设于外保温部的内部，且导流筒支撑环设于内保温部的靠近盖板的一端，用于对导流筒进行支撑；

封气环设于盖板的内侧，且封气环的一端与导流筒支撑环接触，封气环的高度大于盖板的高度，对气流进行疏导。

进一步的，外保温部的高度大于内保温部的高度，以便于导流筒支撑环设于内保温部的一端。

进一步的，内保温部的高度与导流筒支撑环的高度之和小于外保温部的高度，以使得盖板与内保温部之间具有间隙，导流筒支撑环插接于间隙内。

进一步的，外保温部与内保温部的高度差为10-20mm，外保温部与导流筒支撑环之间的高度差为3-8mm。

进一步的，封气环与盖板的高度差为5-15mm。

进一步的，外保温部为等厚度结构。

进一步的，外保温部为保温固碳。

进一步的，内保温部为上保温筒。

进一步的，盖板包括第一接触部和第二接触部，第一接触部与第二接触部连接，第二接触部的高度大于第一接触部的高度，第一接触部与外保温部接触配合，第二接触部与导流筒支撑环接触配合，且第二接触部与外保温部的内侧面接触配合。

一种单晶炉系统，包括如上述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构设于中保温筒的上部。

由于采用上述技术方案，该提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构的封气环的高度大于盖板的高度，封气环的一端凸出盖板的端面，减少热量的散失，加强对气流的疏导，防止气流漩涡的产生，内保温部的高度小于外保温部的高度，且内保温部的高度与导流筒支撑环的高度之和小于外保温部的高度，外保温部的端面凸出导流筒支撑环的端面，加强热场结构的保温效果，减少热量波动，提高热场的热稳定性，减少由于气流或保温效果引起的断苞扩断现象的发生，提高直拉单晶的整棒率。

附图说明

图1是本实用新型的一实施例的结构示意图。

图中：