[实用新型]一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件

说明书

本实用新型公开了一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件，主要解决现有的环行隔离组件，其功率容量较低，高功率下插损较大，不能满足高功率微波组件的应用要求的问题。该一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件包括腔体，腔体内卡装有两个第一旋磁铁氧体基片和射频负载，第一旋磁铁氧体基片上方的腔体上卡装有具有第一凹槽的第一聚四氟乙烯介质套，第一聚四氟乙烯介质套上装配有聚四氟乙烯塑封中心导体，第一聚四氟乙烯介质套顶部具有两个第二凹槽，第二凹槽内分别卡接有第二旋磁铁氧体基片，第二旋磁铁氧体基片上卡接有第二聚四氟乙烯介质套。通过上述方案，本实用新型达到了高功率低插损的目的。

技术领域

本实用新型涉及微波元器件领域，具体地说，是涉及一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件。

背景技术

环行隔离组件包括环行器、隔离器，其广泛应用于航天、航空、机载、舰载、弹载及车载等军用和民用微波通讯领域，尤其在各军民用相控阵雷达系统的收发共用天线系统中有着十分广泛的需求，且这些微波元器件往往成为微波通讯系统中不可或缺的关键元器件。

随着我国越来越多的军民用重点工程的不断开展和对武器装备系统性能的不断提升，不仅对这些与之配套的微波元器件的需求量越来越大，而且对这些微波产品的性能指标特别是功率容量的要求呈数量级增长趋势。

现有的环行隔离组件，其功率容量较低，高功率下插损较大，不能满足高功率微波组件的应用要求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件，以解决现有的环行隔离组件，其功率容量较低，高功率下插损较大，不能满足高功率微波组件的应用要求的问题。

为了解决上述问题，本实用新型提供如下技术方案：

一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件包括腔体，腔体内卡装有两个第一旋磁铁氧体基片和射频负载，第一旋磁铁氧体基片上方的腔体上卡装有具有第一凹槽的第一聚四氟乙烯介质套，第一聚四氟乙烯介质套上装配有聚四氟乙烯塑封中心导体，第一聚四氟乙烯介质套顶部具有两个第二凹槽，第二凹槽内分别卡接有第二旋磁铁氧体基片，第二旋磁铁氧体基片上卡接有第二聚四氟乙烯介质套。

进一步的，第二聚四氟乙烯介质套的顶面设有底板，底板通过螺钉固定在腔体的上面；腔体的下面依次粘接有稀土永磁体、磁温补偿片及盖板。

进一步的，第一聚四氟乙烯介质套和第二聚四氟乙烯介质套均卡装在腔体内；第一旋磁铁氧体基片和第二旋磁铁氧体基片分别装配第一凹槽和第二凹槽内。

进一步的，聚四氟乙烯塑封中心导体上表面、下表面及侧表面均作聚四氟乙烯塑封处理，引脚处不作塑封处理。

进一步的，聚四氟乙烯塑封中心导体夹在第一旋磁铁氧体基片和第二旋磁铁氧体基片之间，聚四氟乙烯塑封中心导体具有四根引线，三根引到输入输出端口，一根引线与射频负载引线相连。

进一步的，腔体由黄铜制成，其表面镀有银层。

进一步的，射频负载焊接于腔体中。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

(1)本实用新型中铁氧体基片均放置于聚四氟乙烯介质套中，且中心导体作塑封处理；聚四氟乙烯介质的填充可有效提高环行器、隔离器的击穿电压，因此可大幅度提高环行器、隔离器的功率容量。

(2)本实用新型中铁氧体基片均放置于聚四氟乙烯介质套中，且中心导体作塑封处理，可有效降低铁氧体的非线性效应，从而有效降低高功率下环行器、隔离器的插损。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

上述附图中，附图标记对应的部件名称如下：