[实用新型]一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件有效

专利信息
申请号: 202121727643.8 申请日: 2021-07-27
公开(公告)号: CN215579001U 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 伍晓荣;黄茜 申请(专利权)人: 成都迈可维微波电子有限公司
主分类号: H01P1/36 分类号: H01P1/36;H01P1/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610093 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 低插损 介质 加载 环行 隔离 组件
【权利要求书】:

1.一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件,其特征在于:包括腔体(1),腔体(1)内卡装有两个第一旋磁铁氧体基片(2)和射频负载(3),第一旋磁铁氧体基片(2)上方的腔体(1)上卡装有具有第一凹槽(4)的第一聚四氟乙烯介质套(5),第一聚四氟乙烯介质套(5)上装配有聚四氟乙烯塑封中心导体(6),第一聚四氟乙烯介质套(5)顶部具有两个第二凹槽(7),第二凹槽(7)内分别卡接有第二旋磁铁氧体基片(8),第二旋磁铁氧体基片(8)上卡接有第二聚四氟乙烯介质套(9)。

2.根据权利要求1所述的一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件,其特征在于:第二聚四氟乙烯介质套(9)的顶面设有底板(10),底板(10)通过螺钉固定在腔体(1)的上面;腔体(1)的下面依次粘接有稀土永磁体(11)、磁温补偿片(12)及盖板(13)。

3.根据权利要求1所述的一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件,其特征在于:第一聚四氟乙烯介质套(5)和第二聚四氟乙烯介质套(9)均卡装在腔体(1)内;第一旋磁铁氧体基片(2)和第二旋磁铁氧体基片(8)分别装配第一凹槽(4)和第二凹槽(7)内。

4.根据权利要求1所述的一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件,其特征在于:聚四氟乙烯塑封中心导体(6)上表面、下表面及侧表面均作聚四氟乙烯塑封处理,引脚处不作塑封处理。

5.根据权利要求1所述的一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件,其特征在于:聚四氟乙烯塑封中心导体(6)夹在第一旋磁铁氧体基片(2)和第二旋磁铁氧体基片(8)之间,聚四氟乙烯塑封中心导体(6)具有四根引线,三根引到输入输出端口,一根引线与射频负载(3)引线相连。

6.根据权利要求1所述的一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件,其特征在于:腔体(1)由黄铜制成,其表面镀有银层。

7.根据权利要求1所述的一种高功率低插损的介质加载环行隔离组件,其特征在于:射频负载(3)焊接于腔体(1)中。

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