[实用新型]功率半导体的封装框架

说明书

本实用新型提供了一种功率半导体的封装框架，包括多个单管封装结构，其中，每个所述单管封装结构包括散热区、载片区、管脚打线区和管脚区，所述散热区对应所述载片区设置，所述载片区通过所述管脚打线区与所述管脚区相连，并且相邻所述单管封装结构之间设有第一连接筋，每个所述单管封装结构两侧设有第二连接筋，每个所述单管封装结构中间还设有第三连接筋。本实用新型能够满足较大体积的功率半导体的贴片封装要求，并能够保证框架整体的稳固性，避免生产流转过程中造成的框架变形。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种功率半导体的封装框架。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

其中IGBT单管作为IGBT产品的系列之一，一直在光伏逆变器、焊机等领域扮演着重要的角色。传统的IGBT单管封装形式主要为TO-220、TO-3P、TO-247等插装式封装。然而，随着电子设备产品的小型化、轻薄化发展，传统的IGBT单管由于其体积较大而难以满足需求，不得不向体积更小的贴片式封装进行发展。但是，IGBT单管封装往往需要在同一封装结构中并联一颗FRED作为续流使用，受到载片区尺寸限制，很少有IGBT单管选择几何尺寸更小的贴片式封装。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的目的在于提出一种功率半导体的封装框架，能够满足较大体积的功率半导体的贴片封装要求，并能够保证框架整体的稳固性，避免生产流转过程中造成的框架变形。

为达到上述目的，本实用新型实施例提出了一种功率半导体的封装框架，包括多个单管封装结构，其中，每个所述单管封装结构包括散热区、载片区、管脚打线区和管脚区，所述散热区对应所述载片区设置，所述载片区通过所述管脚打线区与所述管脚区相连，并且相邻所述单管封装结构之间设有第一连接筋，每个所述单管封装结构两侧设有第二连接筋，每个所述单管封装结构中间还设有第三连接筋。

根据本实用新型实施例提出的功率半导体的封装框架，通过设置多个单管封装结构，其中每个单管封装结构又设有散热区、载片区、管脚打线区和管脚区，散热区对应载片区设置，载片区通过管脚打线区与管脚区相连，此外还在相邻单管封装结构之间设置第一连接筋，在每个单管封装结构两侧设置第二连接筋，以及在每个单管封装结构中间设置第三连接筋，由此，能够满足较大体积的功率半导体的贴片封装要求，并能够保证框架整体的稳固性，避免生产流转过程中造成的框架变形。

另外，根据本实用新型上述实施例提出的功率半导体的封装框架还可以具有如下附加的技术特征：

根据本实用新型的一个实施例，所述散热区与所述载片区构成每个所述单管封装结构的上半区，所述管脚打线区和所述管脚区构成每个所述单管封装结构的下半区。

根据本实用新型的一个实施例，所述第一连接筋为横向连接筋，所述第一连接筋设置于所述单管封装结构的上半区以连接相邻所述单管封装结构。

根据本实用新型的一个实施例，所述第二连接筋为纵向连接筋，所述第二连接筋设置于每个所述单管封装结构两侧以连接每个所述单管封装结构的上下半区。

根据本实用新型的一个实施例，所述第三连接筋为管脚连接筋，所述第三连接筋设置于所述管脚区中间并与所述第二连接筋相连。

根据本实用新型的一个实施例，所述载片区外围设有防水槽。

根据本实用新型的一个实施例，相邻所述单管封装结构之间还设有定位孔。

附图说明