[实用新型]功率半导体的封装框架

权利要求书

1.一种功率半导体的封装框架，其特征在于，包括多个单管封装结构，其中，每个所述单管封装结构包括散热区、载片区、管脚打线区和管脚区，所述散热区对应所述载片区设置，所述载片区通过所述管脚打线区与所述管脚区相连，并且相邻所述单管封装结构之间设有第一连接筋，每个所述单管封装结构两侧设有第二连接筋，每个所述单管封装结构中间还设有第三连接筋。

2.根据权利要求1所述的功率半导体的封装框架，其特征在于，所述散热区与所述载片区构成每个所述单管封装结构的上半区，所述管脚打线区和所述管脚区构成每个所述单管封装结构的下半区。

3.根据权利要求2所述的功率半导体的封装框架，其特征在于，所述第一连接筋为横向连接筋，所述第一连接筋设置于所述单管封装结构的上半区以连接相邻所述单管封装结构。

4.根据权利要求2所述的功率半导体的封装框架，其特征在于，所述第二连接筋为纵向连接筋，所述第二连接筋设置于每个所述单管封装结构两侧以连接每个所述单管封装结构的上下半区。

5.根据权利要求2所述的功率半导体的封装框架，其特征在于，所述第三连接筋为管脚连接筋，所述第三连接筋设置于所述管脚区中间并与所述第二连接筋相连。

6.根据权利要求2所述的功率半导体的封装框架，其特征在于，所述载片区外围设有防水槽。

7.根据权利要求1所述的功率半导体的封装框架，其特征在于，相邻所述单管封装结构之间还设有定位孔。