[实用新型]功率模块

说明书

本申请提供一种功率模块，包括基板、多个芯片、引线框架、壳体以及封装胶。所述多个芯片间隔设置于所述基板上，所述引线框架设置于所述多个芯片和所述基板上并电连接所述多个芯片和所述基板，所述壳体设置于所述基板上并与所述基板合围形成收容腔，所述多个芯片和所述基板收容于所述收容腔中，所述封装胶填充于所述收容腔中并包覆所述多个芯片和所述引线框架。本申请提供的功率模块，通过引线框架对相连接的多个芯片实现均热，提高了散热效率。

技术领域

本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种功率模块。

背景技术

功率模块是将功率电力电子器件按一定的功能组合后再灌封形成的一个模块，例如芯片封装结构。芯片一般通过引线(铝线)键合的方式与基板实现电气连接。然而，应用于大功率场景的碳化硅芯片在工作时会产生大量的热，其对封装的散热能力要求高，传统的引线键合方式并不能满足碳化硅芯片的散热要求。

实用新型内容

有鉴于此，有必要提供一种解决上述技术问题的功率模块。

本申请提供一种功率模块，包括基板、多个芯片、引线框架、壳体以及封装胶。所述多个芯片间隔设置于所述基板上，所述引线框架设置于所述多个芯片和所述基板上并电连接所述多个芯片和所述基板，所述壳体设置于所述基板上并与所述基板合围形成收容腔，所述多个芯片和所述基板收容于所述收容腔中，所述封装胶填充于所述收容腔中并包覆所述多个芯片和所述引线框架。

在一些实施方式中，每个芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述芯片的第一表面通过第一焊锡层焊接于所述基板，所述引线框架通过第二焊锡层焊接于所述芯片的第二表面，所述第二焊锡层的熔点低于所述第一焊锡层的熔点。

在一些实施方式中，所述引线框架包括相互连接的多个第一连接部和第二连接部，每个第一连接部通过所述第二焊锡层焊接于相应芯片的第二表面，所述第二连接部通过所述第二焊锡层焊接于所述基板上。

在一些实施方式中，所述引线框架还包括多个第三连接部，每个第一连接部和所述第二连接部为L形，每个第三连接部为“一”字形，每个第三连接部连接相应的第一连接部和所述第二连接部。

在一些实施方式中，所述功率模块还包括热敏电阻、针型端子和主端子，所述热敏电阻通过所述第一焊锡层焊接于所述基板上，所述针型端子和所述主端子分别通过所述第二焊锡层焊接于所述基板上，所述针型端子通过引线键合于相应的芯片上，且所述封装胶还包覆所述热敏电阻、所述针型端子的部分以及所述主端子位于所述壳体中的部分。

在一些实施方式中，所述基板、所述引线框架、所述针型端子和所述主端子的表面均设有镀层。

在一些实施方式中，所述基板上的镀层的厚度大于0.02μm，所述引线框架、所述针型端子以及所述主端子上的镀层的厚度均大于0.2μm。

在一些实施方式中，所述基板包括基材层、第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层分别设置于所述基材层相对的两个表面上。

在一些实施方式中，所述功率模块还包括盖板，所述盖板设置于所述壳体远离所述基板的一端并封盖所述收容腔。

在一些实施方式中，所述盖板与所述壳体相接触的位置处以及所述壳体与所述基板相接触的位置处均设置有密封胶，以密封所述收容腔。

本申请实施方式提供的功率模块，通过引线框架实现芯片与基板的电连接，且所述引线框架与多个芯片均相接，使得在一个芯片工作发热时，其热量可通过所述引线框架传递至其余的芯片上，实现均热，进而提高该工作芯片的散热效果。

附图说明

图1是本申请一实施方式提供的功率模块的结构示意图。

主要元件符号说明

功率模块 100