[实用新型]一种功率组件

说明书

本实用新型提供一种功率组件，包括：控制电路元件，控制电路元件包括控制电路有源元件和控制电路无源元件；功率模块，功率模块包括：基板，基板的一侧表面上设有功率器件和控制端子；第一电路板，第一电路板位于基板上且与基板间隔，至少部分控制电路无源元件位于第一电路板表面；位于基板和第一电路板之间的导电连接件，导电连接件的一端与功率器件的栅极电学连接，导电连接件的另一端与控制电路无源元件电学连接；位于功率模块侧部的第二电路板，控制电路有源元件位于第二电路板表面，控制电路有源元件与控制端子的第一端电学连接，控制端子的第二端与第一电路板电学连接。功率组件开关损耗小，工作效率高，且降低了控制电路元件的耐温要求。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率组件。

背景技术

功率半导体模块是大功率电子电力器件按一定的功能组合的组合体。功率半导体模块可根据封装的元器件的不同实现不同功能。功率半导体模块包括功率半导体器件，功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率mosfet，常简写为功率mos)、绝缘栅双极晶体管(igbt)以及功率集成电路(power ic，常简写为pic)为主。这些器件或集成电路能在很高的频率下工作，而电路在高频工作时能更节能、节材，能大幅减少设备体积和重量。尤其是集成度很高的单片片上功率系统(power system on a chip，简写psoc)，它能把传感器件与电路、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上，使其具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流等情况自我进行保护的智能功能。

然而，现有功率半导体模块的有效功率回路长，寄生参数大，开关损耗大，工作效率低。

实用新型内容

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中功率半导体模块的有效功率回路长，寄生参数大，开关损耗大，工作效率低的问题。

本实用新型提供一种功率组件，包括：控制电路元件,所述控制电路元件包括控制电路有源元件和控制电路无源元件；功率模块，所述功率模块包括：基板，所述基板的一侧表面上设有功率器件和控制端子，所述控制端子具有相对的第一端和第二端，所述第一端与所述基板接触；第一电路板，所述第一电路板位于所述基板上且与所述基板间隔，至少部分所述控制电路无源元件位于所述第一电路板表面；位于所述基板和所述第一电路板之间的导电连接件，所述导电连接件的一端与所述功率器件的栅极电学连接，所述导电连接件的另一端与所述第一电路板表面的控制电路无源元件电学连接；位于所述功率模块侧部的第二电路板，所述控制电路有源元件位于所述第二电路板表面，所述控制电路有源元件与所述第一端电学连接，所述第二端与所述第一电路板电学连接。

可选的，所述基板包括陶瓷基板；所述第一电路板和第二电路板均为PCB电路板。

可选的，所述导电连接件包括导电顶针。

可选的，所述控制电路无源元件包括电阻和电容中的一种或者多种。

可选的，所述第一电路板的面积小于所述基板的面积。

可选的，所述第一电路板的面积占据所述基板的面积的5％～80％。

可选的，所述第一电路板在所述基板表面上的投影区位于所述基板的边缘区域；所述投影区位于所述功率器件的侧部且与所述功率器件间隔。

可选的，所述第一电路板至所述基板的距离为1㎜～20㎜。

可选的，所述第二电路板上还设置有功率放大器单元、驱动芯片和隔离电路元件；所述控制电路有源元件与所述功率放大器单元电学连接，所述功率放大器单元与所述驱动芯片电学连接，所述驱动芯片与所述隔离电路元件电学连接。

可选的，所述功率模块还包括：壳体，所述壳体包括壁板和顶板，所述壁板围绕所述基板的边缘设置，所述顶板位于所述基板和所述第一电路板的上方；所述第一电路板的部分边缘通过固定件与所述壁板连接。