[发明专利]一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法在审
| 申请号： | 202111535697.9 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114214722A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张婷婷;陈立功;谭云东;杜曰强;方治文 | 申请（专利权）人： | 山东重山光电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/20;C30B29/10 |
| 代理公司： | 山东舜源联合知识产权代理有限公司 37359 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 255138 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质量 尺寸 lbo 晶体 制备 方法 | ||
1.一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法，其特征在于，将原料混合均匀后置于带盖的坩埚中，然后将坩埚置于晶体生长炉内，升温化料；种晶后，采用向上提拉的生长方式，经过程序降温生长获得高质量的LBO晶体；所述原料包括碳酸锂和硼酸。
2.如权利要求1所述的一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法，其特征在于，原料中还包括助熔剂，所述助熔剂为氧化钼和氧化钨的混合物。
3.如权利要求2所述的一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法，其特征在于，所述助熔剂为氧化钼与氧化钨摩尔比为1:1的混合物。
4.如权利要求1所述的一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法，其特征在于，所述碳酸锂和硼酸的摩尔比为1:2～4。
5.如权利要求2所述的一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法，其特征在于，所述助熔剂用量摩尔量总和与碳酸锂和硼酸用量摩尔量的总和之比为1.5～3:1。
6.如权利要求1所述的一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法，其特征在于，所述化料的温度为850～950℃，化料的时间为18～30h。
7.如权利要求1所述的一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法，其特征在于，所述坩埚为铂金坩埚。
8.如权利要求1所述的一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法，其特征在于，所述向上提拉的速度为0.01～0.1mm/h。
9.如权利要求1所述的一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法，其特征在于，晶体生长周期内，前期降温速率为0.2℃/day，后期降温速率为0.5℃/day，生长周期100天，晶体转动的速度20～40r/min。
10.如权利要求9所述的一种高质量大尺寸LBO晶体的制备方法，其特征在于，晶体转动的方向为单向旋转或者双向旋转。
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