[发明专利]射频推挽功率放大电路及射频推挽功率放大器在审

专利信息
申请号: 202111161740.X 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN115913151A 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 曹原;戎星桦;雷永俭;雷传球;倪建兴 申请(专利权)人: 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司
主分类号: H03F3/21 分类号: H03F3/21;H03F3/19;H03F3/26;H03F1/42
代理公司: 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 代理人: 朱业刚
地址: 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 射频 功率 放大 电路 功率放大器
【说明书】:

发明公开了一种射频推挽功率放大电路,在第一差分放大晶体管的输出端和第一巴伦的初级线圈之间接入第一电感,以及将第一LC谐振电路的一端连接在第一差分放大晶体管的输出端与第一巴伦的初级线圈之间;和在第二差分放大晶体管的输出端和第一巴伦的初级线圈之间接入第二电感,以及将第二LC谐振电路的一端连接在第二差分放大晶体管的输出端与第一巴伦的初级线圈之间;由第一电感和第一LC谐振电路组成的第一匹配网络和由第二电感和第二LC谐振电路组成的第二匹配网络与第一巴伦共同参与射频推挽功率放大电路的阻抗转换,以使得射频推挽功率放大电路随频率变化,其阻抗变化量较小,谐波阻抗更收敛,从而实现在更宽频带范围内,谐波抑制性能更好。

技术领域

本发明涉及射频技术领域,尤其涉及一种射频推挽功率放大电路、射频推挽功率放大器及射频前端模组。

背景技术

第五代移动通信技术(5G)的关键性能目标是传输速率相比4G大幅提升,5G新技术需要采用频率更高、带宽更大、QAM调制更高阶的射频前端,使其对射频前端的功率放大器的设计提出更严苛的要求。推挽功率放大器因在射频前端中可满足频率更高、带宽更大和QAM调制更高阶的需求,从而得到广泛应用。然而,在设计推挽功率放大器时为了满足阻抗匹配的性能指标,往往会导致挽功率放大电路的带宽性能变差,因此,如何在实现推挽功率放大器的阻抗匹配时,保证挽功率放大电路的带宽性能成为目前亟待解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种射频推挽功率放大电路、射频推挽功率放大器及射频前端模组,解决射频推挽功率放大电路的带宽性能较差的问题。

一种射频推挽功率放大电路,包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第一匹配网络和第二匹配网络;

所述第一匹配网络包括第一电感和第一LC谐振电路,所述第一电感串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间,所述第一LC谐振电路的一端连接在所述第一差分放大晶体管的输出端与所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间,另一端接地;

所述第二匹配网络包括第二电感和第二LC谐振电路,所述第二电感串联在所述第二差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间,所述第二LC谐振电路的一端连接在所述第二差分放大晶体管的输出端与所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间,另一端接地。

进一步地,还包括串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第二差分放大晶体管的输出端之间的第一电容。

进一步地,所述第一LC谐振电路和所述第二LC谐振电路被配置为谐振在二阶谐波频率点。

进一步地,所述第一LC谐振电路的一端连接在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一电感之间,所述第二LC谐振电路的一端连接在所述第二差分放大晶体管的输出端和所述第二电感之间;或者,所述第一LC谐振电路的一端连接在所述第一电感和所述第一巴伦的初级线圈的第一端,所述第二LC谐振电路的一端连接在所述第二电感和所述第一巴伦的初级线圈的第二端。

进一步地,还包括电容网络,所述第一巴伦的初级线圈包括第一线圈段和第二线圈段;

所述第一差分放大晶体管的输出端通过所述第一匹配网络耦合至所述第一线圈段的第一端,所述第二差分放大晶体管的输出端通过所述第二匹配网络耦合至所述第二线圈段的第一端;

所述电容网络的第一端与所述第一线圈段的第二端连接,所述电容网络的第二端与所述第二线圈段的第二端连接。

进一步地,所述电容网络包括第二电容,所述第二电容的第一端与所述第一线圈段的第二端连接,所述第二电容的第二端与所述第二线圈段的第二端连接。

进一步地,所述电容网络包括串联连接的第二电容和第六电容;所述第二电容的第一端与所述第一线圈段的第二端连接,所述第二电容的第二端与所述第六电容的第一端连接,所述第六电容的第二端与所述第二线圈段的第一端连接。

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