[发明专利]射频推挽功率放大电路及射频推挽功率放大器在审
| 申请号: | 202111161740.X | 申请日: | 2021-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN115913151A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
| 发明(设计)人: | 曹原;戎星桦;雷永俭;雷传球;倪建兴 | 申请(专利权)人: | 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21;H03F3/19;H03F3/26;H03F1/42 |
| 代理公司: | 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 | 代理人: | 朱业刚 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 射频 功率 放大 电路 功率放大器 | ||
1.一种射频推挽功率放大电路,其特征在于,包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第一匹配网络和第二匹配网络;
所述第一匹配网络包括第一电感和第一LC谐振电路,所述第一电感串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间,所述第一LC谐振电路的一端连接在所述第一差分放大晶体管的输出端与所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间,另一端接地;
所述第二匹配网络包括第二电感和第二LC谐振电路,所述第二电感串联在所述第二差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间,所述第二LC谐振电路的一端连接在所述第二差分放大晶体管的输出端与所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间,另一端接地。
2.如权利要求1所述的射频推挽功率放大电路,其特征在于,还包括串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第二差分放大晶体管的输出端之间的第一电容。
3.如权利要求1所述的射频推挽功率放大电路,其特征在于,所述第一LC谐振电路和所述第二LC谐振电路被配置为谐振在二阶谐波频率点。
4.如权利要求1所述的射频推挽功率放大电路,其特征在于,所述第一LC谐振电路的一端连接在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一电感之间,所述第二LC谐振电路的一端连接在所述第二差分放大晶体管的输出端和所述第二电感之间;或者,所述第一LC谐振电路的一端连接在所述第一电感和所述第一巴伦的初级线圈的第一端,所述第二LC谐振电路的一端连接在所述第二电感和所述第一巴伦的初级线圈的第二端。
5.如权利要求1所述的射频推挽功率放大电路,其特征在于,还包括电容网络,所述第一巴伦的初级线圈包括第一线圈段和第二线圈段;
所述第一差分放大晶体管的输出端通过所述第一匹配网络耦合至所述第一线圈段的第一端,所述第二差分放大晶体管的输出端通过所述第二匹配网络耦合至所述第二线圈段的第一端;
所述电容网络的第一端与所述第一线圈段的第二端连接,所述电容网络的第二端与所述第二线圈段的第二端连接。
6.如权利要求5所述的射频推挽功率放大电路,其特征在于,所述电容网络包括第二电容,所述第二电容的第一端与所述第一线圈段的第二端连接,所述第二电容的第二端与所述第二线圈段的第二端连接。
7.如权利要求5所述的射频推挽功率放大电路,其特征在于,所述电容网络包括串联连接的第二电容和第六电容;所述第二电容的第一端与所述第一线圈段的第二端连接,所述第二电容的第二端与所述第六电容的第一端连接,所述第六电容的第二端与所述第二线圈段的第一端连接。
8.如权利要求7所述的推挽式射频功率放大电路,其特征在于,还包括共模抑制电路,所述共模抑制电路的一端耦合至所述第二电容和第六电容之间,另一端接地。
9.如权利要求8所述的推挽式射频功率放大电路,其特征在于,所述共模抑制电路包括第一电阻。
10.如权利要求5所述的射频推挽功率放大电路,其特征在于,所述第二电容的电容值小于可比较的射频推挽功率放大电路中串联在所述第一差分放大晶体管的输出端与所述初级线圈的第一端之间的隔直电容的电容值,和/或,所述第二电容的电容值小于可比较的射频推挽功率放大电路中串联在所述第二差分放大晶体管的输出端与所述初级线圈的第二端之间的隔直电容的电容值。
11.如权利要求10所述的射频推挽功率放大电路,其特征在于,所述第二电容的电容值为可比较的射频推挽功率放大电路中串联在所述第一差分放大晶体管的输出端与所述初级线圈的第一端之间的隔直电容的电容值的二分之一,和/或,所述第二电容的电容值为可比较的射频推挽功率放大电路中串联在所述第二差分放大晶体管的输出端与所述初级线圈的第二端之间的隔直电容的电容值的二分之一。
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