[发明专利]一种功率器件及其制作方法

说明书

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种功率器件及其制作方法。其中，此功率器件包括散热体、绝缘基板、芯片、引脚和封装体，散热体具有第一侧面，第一侧面凹设有安装槽，安装槽的其中一槽壁上凹设有缺口，缺口连通安装槽与散热体的外部，绝缘基板设置在安装槽内，绝缘基板远离安装槽的槽底的一侧设置芯片，芯片上设置第一焊盘，引脚间隔设置在散热体的一侧，引脚邻近于散热体设有缺口的一侧面，引脚通过焊线与第一焊盘连接，焊线穿过缺口并与缺口内壁间隔，封装体封堵安装槽并至少覆盖第一侧面。本发明实施例的功率器件体积小、厚度薄、绝缘且散热效果好。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种功率器件。

背景技术

随着以SiC为代表的第三代半导体的崛起，功率器件朝着大功率、高频率的方向发展。对于大功率的器件而言，功率越大，其电流电压的上限将会更高，热损耗也会越来越大，此类功率器件急需解决的问题是散热和绝缘的问题。

目前的功率器件一般包括如下两种结构：

第一种，如图1所示，此功率器件包括金属壳体1′和金属引脚2′，金属壳体1′为一侧面开口的方形杯体，此金属壳体1′作为功率器件的散热器，金属壳体1′上贯穿开设有通孔，金属引脚2′的一端穿过通孔位于金属壳体1′内，金属引脚2′与通孔的孔壁之间设置绝缘胶圈3′，以避免金属壳体1′和金属引脚2′短路。组装时，将芯片(图上未示出)装贴在绝缘的基板(图上未示出)后再装贴到金属壳体1′内，通过焊线将芯片焊盘与金属引脚2′连接。此功率器件存在以下缺陷：(1)、为了实现金属引脚2′与金属壳体1′之间的绝缘，必须要设置绝缘胶圈3′，绝缘胶圈3′的设置，使得功率器件的厚度较厚，且为了电气安全，厚度一般要设置为大于5mm，使得整个功率器件的体积较大；(2)、受到金属引脚2′与金属壳体1′之间的绝缘胶圈3′的耐压限制，功率器件只能用于中低功率段，应用范围窄；(3)、金属壳体1′的成型工艺复杂，且塑封工艺只能采用传统的灌胶封装的方式，效率低，造价高。

第二种，如图2和图3所示，此功率器件包括散热架1″、绝缘陶瓷片2″、载片支架3″和芯片4″，芯片4″装在载片支架3″上形成一组件，载片支架3″上一体设置第一引线脚5″，然后通过铝线连接第二引线脚6″，此组件装贴在绝缘陶瓷片2″上，绝缘陶瓷片2″再叠设在散热架1″上，最后进行塑封形成功率器件，使芯片4″被塑封体7″封装。此功率器件存在以下缺陷：(1)、散热架1″与载片支架3″分离，且在二者之间需要额外装贴绝缘陶瓷片2″，在工艺上实现困难，且容易出现相对位移的情况；(2)、在厚度方向上有三个部件，会极大地增加厚度，一般功率器件的厚度都可以达到5mm-6mm，正因为厚度增加，芯片4″内部热量传输距离增加，不利于散热。

发明内容

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种功率器件及其制作方法，其能有效缩小功率器件的厚度，提升散热效果。

第一方面，提供一种功率器件，包括：

散热体，所述散热体具有第一侧面，所述第一侧面凹设有安装槽，所述安装槽的其中一槽壁上凹设有缺口，所述缺口连通所述安装槽与所述散热体的外部；

绝缘基板，所述绝缘基板设置在所述安装槽内，所述绝缘基板远离所述安装槽的槽底的一侧设置芯片，所述芯片上设置第一焊盘；

引脚，所述引脚间隔设置在所述散热体的一侧，所述引脚邻近于所述散热体设有所述缺口的一侧面，所述引脚通过焊线与所述第一焊盘连接，所述焊线穿过所述缺口并与所述缺口内壁间隔；

封装体，所述封装体封堵所述安装槽并至少覆盖所述第一侧面以及封堵所述引脚靠近所述散热体的一端。