[发明专利]耐功率型声表面波滤波器芯片及其搭桥套刻工艺和滤波器有效
| 申请号: | 202111041610.2 | 申请日: | 2021-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN113765497B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
| 发明(设计)人: | 王君;魏家贵;孟腾飞;陈晓阳;徐浩;于海洋;倪烨;袁燕;张倩;崔洋 | 申请(专利权)人: | 北京航天微电科技有限公司 |
| 主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H3/08 |
| 代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 吴佳 |
| 地址: | 100854*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率 表面波 滤波器 芯片 及其 搭桥 刻工 | ||
本发明涉及耐功率型声表面波滤波器芯片及其搭桥套刻工艺和滤波器,滤波器芯片包括叉指图层和耐功率层,叉指图层包含叉指部分、汇流条及电极部分,耐功率层覆盖于叉指部分且露出电极部分;采用搭桥套刻工艺制作有跨设在汇流条上的绝缘凸块,绝缘凸块上制作有连接电极部分的金属条。在声表面波滤波器芯片叉指位置制作耐功率层,提高产品耐功率特性,应滤波器小型化趋势要求,利用搭桥套刻工艺减小芯片尺寸,同时制作加厚电极层,便于后续植金球或金丝键合工艺。本发明将耐功率工艺与搭桥套刻工艺结合,简化工艺步骤,耐功率层与绝缘凸块同步制作,金属条与加厚电极层同步制作,使声表面波滤波器产品既能满足耐功率需求,又便于后续小型化封装。
技术领域
本发明涉及声表面波滤波器搭桥套刻技术领域,尤其涉及一种耐功率型声表面波滤波器芯片及其搭桥套刻工艺和滤波器。
背景技术
随着声表面波器件逐渐往小型化方向发展,芯片设计尺寸要求越来越小,目前常采用的设计方式需利用搭桥套刻工艺将内部电极与外部电极连接,以获得更小的芯片尺寸,该设计方式需制作一层绝缘凸块跨过汇流条,需制作一条金属条跨过绝缘凸块连接内部电极和外部电极,同时,需要加厚电极以便后续植球或金丝键合,另外,目前大多数声表面波滤波器都有耐功率需求,器件达到耐功率需求也需制作一层绝缘层覆盖于叉指部分,满足耐功率需求的同时保护叉指不受损伤,称之为耐功率层。
然而,常规工艺是在完成搭桥套刻工艺后,对电极部分进行加厚,然后在芯片表面再制作耐功率层,该种工艺繁琐,制作周期长,因此需要一种简单的工艺方案将三种需求合并为一种工艺,同时满足搭桥套刻、加厚电极以及耐功率需求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,提供一种耐功率型声表面波滤波器芯片及其搭桥套刻工艺和滤波器。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种耐功率型声表面波滤波器芯片,包括叉指图层和耐功率层,所述叉指图层包含叉指部分、汇流条以及电极部分,所述耐功率层将所述叉指图层的电极部分露出且覆盖于叉指部分;采用搭桥套刻工艺制作有跨设在汇流条上的绝缘凸块,所述绝缘凸块上制作有连接电极部分的金属条。
本发明的有益效果是:本发明在声表面波滤波器芯片叉指部分位置制作耐功率层,相比普通产品,既能提高产品耐功率特性,又能保护叉指图层表面不受损伤。应滤波器小型化趋势要求,利用搭桥套刻工艺减小芯片设计尺寸,保护叉指图层表面不受损伤,且便于后续进行植金球或金丝键合工艺。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,所述电极部分包括位于所述耐功率层内侧的内电极以及位于所述耐功率层外侧的外电极,所述金属条分别连接内电极和外电极。
进一步,在制作所述金属条的同时,在所述电极部分上制作加厚电极层。采用上述进一步方案的有益效果是:利用搭桥套刻工艺减小芯片设计尺寸,且绝缘凸块和耐功率层同步制作,连接内外电极的金属条和加厚电极层同步制作,简化工艺步骤的同时,满足小尺寸芯片耐功率需求,保护叉指图层表面不受损伤,且便于后续进行植金球或金丝键合工艺。
一种耐功率型声表面波滤波器芯片搭桥套刻工艺,包括以下步骤:
S1,在压电晶圆表面制备金属图形,形成叉指图层;
S2,在叉指图层表面同步制作耐功率层和绝缘凸块,使耐功率层覆盖叉指图层的叉指部分,使绝缘凸块跨设在汇流条上,使叉指图层的电极部分露出;
S3,通过光刻镀膜剥离在电极部分以及绝缘凸块表面同时蒸镀加厚电极层和金属条,使加厚电极层覆盖在电极部分的表面,同时使金属条跨过汇流条并连接电极部分的内电极和外电极,得到耐功率型声表面波滤波器芯片。
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