[发明专利]降低导通电阻的功率晶体管结构

权利要求书

1.一种降低导通电阻的功率晶体管结构，包括：第一导电类型硅衬底（1），在第一导电类型硅衬底（1）的上方设有第一导电类型硅外延（4），在所述第一导电类型硅外延（4）内设有有源区与终端区，所述有源区内的第一导电类型硅外延（4）的表面设有第二导电类型体区（9），在所述第二导电类型体区（9）的表面设有第一导电类型源区（10），在所述第一导电类型源区（10）表面设有互相平行的有源区沟槽（2），所述有源区沟槽（2）的底部穿透第一导电类型源区（10）与第二导电类型体区（9）后进入第一导电类型硅外延（4）内，在所述有源区沟槽（2）侧壁与底部设有由绝缘介质构成的场氧层（6），有源区沟槽（2）中的场氧层（6）包裹着导电多晶硅（5），所述导电多晶硅（5）的顶部的两侧设有栅极导电多晶硅（7），所述栅极导电多晶硅（7）通过由绝缘介质构成的栅氧层（8）与导电多晶硅（5）、第一导电类型源区（10）、第二导电类型体区（9）、第一导电类型硅外延（4）绝缘，在所述有源区沟槽（2）与第一导电类型源区（10）的上方设有绝缘介质层（14），在有源区内的所述绝缘介质层（14）的上方设有源极金属（12），所述源极金属（12）通过所述绝缘介质层（14）内的第一通孔（15）与第二导电类型体区（9）、第一导电类型源区（10）欧姆接触，通过第二通孔（16）与导电多晶硅（5）欧姆接触；

终端区包括包围有源区的至少一根外围沟槽（3）以及所述外围沟槽（3）外侧的区域，所述外围沟槽（3）侧壁与底部设有由绝缘介质构成的场氧层（6），外围沟槽（3）中的场氧层（6）包裹着导电多晶硅（5），所述外围沟槽（3）内的导电多晶硅（5）通过第二通孔（16）与源极金属（12）欧姆接触，其特征在于，在外围沟槽（3）远离有源区的一侧的第一导电类型硅外延（4）的表面设有场氧层（6），在终端区第一导电类型硅外延（4）表面的场氧层（6）的上方设有栅极总线多晶硅（11），所述栅极总线多晶硅（11）的上方设有绝缘介质层（14），在终端区内的所述绝缘介质层（14）的上方设有栅极总线金属（13），所述栅极总线金属（13）通过绝缘介质层（14）内的第三通孔（17）与栅极总线多晶硅（11）欧姆接触；

终端区包括包围有源区的数根外围沟槽（3），相邻的外围沟槽（3）之间的硅外延浮空设置；

所述外围沟槽（3）与相邻的有源区沟槽（2）是互相垂直时，与栅极总线多晶硅（11）电连接的导电多晶硅桥（18）沿着有源区沟槽（2）延伸的方向跨越外围沟槽（3）延伸至有源区沟槽（2）的正上方，且与有源区沟槽（2）内的栅极导电多晶硅（7）电连接，且与有源区沟槽（2）内的导电多晶硅（5）互相绝缘；

所述导电多晶硅桥（18）的宽度不超过有源区沟槽（2）的沟槽宽度。

2.如权利要求1所述的降低导通电阻的功率晶体管结构，其特征在于，

对于N型功率晶体管器件，所述第一导电类型为N型导电，所述第二导电类型为P型导电；对于P型功率晶体管器件，所述第一导电类型为P型导电，所述第二导电类型为N型导电。