[发明专利]一种提高双扩散漏器件击穿电压的方法在审
| 申请号： | 202110685154.9 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113506743A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 汪雪娇;石晶;徐翠芹;刘巍 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 扩散 器件 击穿 电压 方法 | ||
1.一种提高双扩散漏器件击穿电压的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供晶圆，所述晶圆设有P型衬底，在所述P型衬底上形成N阱；
步骤二、在所述N阱上形成IO阱；
步骤三、在所述IO阱的两侧分别形成第一、第二LDD区；
步骤四、在所述IO阱的上表面形成多晶硅结构；所述第一、第二LDD区的一部分位于所述多晶硅结构两侧的下方；
步骤五、在所述多晶硅结构的侧壁形成侧墙；
步骤六、在所述多晶硅结构侧壁的侧墙以外的所述第一、第二LDD区分别形成源漏区；其中所述源漏区中的源区在横向与其临近的所述侧墙之间无间隔；所述源漏区中的漏区在横向与其临近的所述侧墙之间相互间隔有屏蔽区；
步骤七、在所述LDD区的所述屏蔽区的上表面形成SAB区；
步骤八、在所述SAB区以外的所述晶圆表面形成NiSi层。
2.根据权利要求1所述的提高双扩散漏器件击穿电压的方法，其特征在于：步骤一中的所述N阱为深N阱或高压N阱。
3.根据权利要求1所述的提高双扩散漏器件击穿电压的方法，其特征在于：步骤六中的所述阻挡区的形成是通过在所述源漏区形成过程中的光罩上定义出所述屏蔽区，之后利用所述源漏区的光罩进行光刻和离子注入形成所述源漏区，其中形成的所述漏区与其临近的所述侧墙之间的所述屏蔽区中不进行离子注入。
4.根据权利要求1所述的提高双扩散漏器件击穿电压的方法，其特征在于：步骤七中形成的所述SAB区为SiN。
5.根据权利要求1所述的提高双扩散漏器件击穿电压的方法，其特征在于：步骤七中的所述SAB区为高阻区。
6.根据权利要求1所述的提高双扩散漏器件击穿电压的方法，其特征在于：步骤八中的所述NiSi层为低阻区。
7.根据权利要求1所述的提高双扩散漏器件击穿电压的方法，其特征在于：步骤八中利用自对准形成所述NiSi层。
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