[发明专利]提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法

说明书

本公开提供了一种提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，属于半导体器件技术领域。第一氮气对衬底的表面进行氮化处理并增强衬底的表面稳定性。再通入5～20sccm的Al源，减小附着物掉落到衬底上的可能性。第一氢气有刻蚀的作用，可以起到清洁衬底和去除反应腔的内壁的部分粘附力不强的氧化物的作用，减小衬底上的杂质并使反应腔内壁上部分粘附不稳定的附着物掉落，伴随废气一起排出反应腔。第二氮气与第二氢气则可以起到清理衬底的表面的掉落物以及进一步清理反应腔的内壁上的附着物的作用。最终有效提高衬底的表面的质量的同时，大幅度减小了反应腔的内壁上的附着物掉落的可能性，提高最终得到的发光二极管外延片的表面平整度。

技术领域

本公开涉及到了半导体器件技术领域，特别涉及到一种提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法。

背景技术

发光二极管是一种应用非常广泛的器件，常用于通信号灯、汽车内外灯、城市照明和景观照明等，发光二极管外延片则是用于制备发光二极管的基础结构。发光二极管外延片通常包括衬底及衬底上依次层叠的GaN缓冲层、n型层、多量子阱层及p型层。

在GaN缓冲层的生长过程中，由于腔室内存在部分掉落的颗粒物以及GaN缓冲层生长过程中自身内部缺陷与应力的存在，会导致最终得到的GaN缓冲层的表面存在翘曲或者较多颗粒物，影响GaN缓冲层之后的外延结构的生长并导致最终得到的发光二极管外延片的表面平整度较低，影响发光二极管尤其是一些微型的发光二极管的发光效率。

发明内容

本公开实施例提供了一种提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，可以提高发光二极管外延片的表面平整度。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种发光二极管外延片，所述提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法包括：

提供一衬底；

使反应腔充满第一氮气；

向所述反应腔通入5～20sccm的Al源；

使所述反应腔充满第一氢气；

所述反应腔同时通入第二氮气与第二氢气；

在所述衬底上依次生长GaN缓冲层、n型层、多量子阱层与p型层。

可选地，所述使反应腔充满第一氮气，包括：

向所述反应腔间断性地通入第一氮气，每次通入所述第一氮气的量为150～300L。

可选地，每次通入所述第一氮气的时长为1～2min。

可选地，两次通入所述第一氮气之间的间隔时长为10～50s。

可选地，向所述反应腔通入Al源的时长为20～60s。

可选地，所述使所述反应腔充满第一氢气，包括：

向所述反应腔持续通入160～300L的第一氢气。

可选地，向所述反应腔通入100～300s的所述第一氢气。

可选地，使所述反应腔充满第一氢气之后，

间隔第一时长后向所述反应腔同时通入第二氮气与第二氢气。

可选地，向所述反应腔同时通入150～250L的第二氮气与80～200L的第二氢气。

可选地，向所述反应腔同时通入第二氮气与第二氢气的时长为30～80s。

本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：