[发明专利]提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202110585784.9 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113540300B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;梅劲;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 表面 平整 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
使反应腔充满第一氮气；
向所述反应腔通入5～20sccm的Al源；
使所述反应腔充满第一氢气；
向所述反应腔同时通入第二氮气与第二氢气；
在所述衬底上依次生长GaN缓冲层、n型层、多量子阱层与p型层。
2.根据权利要求1所述的提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述使反应腔充满第一氮气，包括：
向所述反应腔间断性地通入第一氮气，每次通入所述第一氮气的量为150～300L。
3.根据权利要求2所述的提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，每次通入所述第一氮气的时长为1～2min。
4.根据权利要求2所述的提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，两次通入所述第一氮气之间的间隔时长为10～50s。
5.根据权利要求1～4任一项所述的提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，向所述反应腔通入Al源的时长为20～60s。
6.根据权利要求1～4任一项所述的提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述使所述反应腔充满第一氢气，包括：
向所述反应腔持续通入160～300L的第一氢气。
7.根据权利要求6所述的提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，向所述反应腔通入100～300s的所述第一氢气。
8.根据权利要求1～4任一项所述的提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，使所述反应腔充满第一氢气之后，
间隔第一时长后向所述反应腔同时通入第二氮气与第二氢气。
9.根据权利要求1～4任一项所述的提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，向所述反应腔同时通入150～250L的第二氮气与80～200L的第二氢气。
10.根据权利要求1～4任一项所述的提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，向所述反应腔同时通入第二氮气与第二氢气的时长为30～80s。
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